[发明专利]半导体制造设备以及制造方法在审
| 申请号： | 201610070694.5 | 申请日： | 2016-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN107026100A | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 袁光杰;周俊卿;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/318;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造设备以及制造方法。一种半导体制造设备，包括壳体，所述壳体形成封闭的腔，待加工衬底设置在所述腔中；喷淋头，设置在所述壳体上，用于从所述壳体外向所述腔内提供气体，所述气体包括工艺气体；以及热丝，设置在所述喷淋头和待加工衬底之间，在工作时被加热，其中来自喷淋头的所述气体流过所述热丝，其中所述热丝使得所述工艺气体离子化，以及其中被离子化的气体被提供到待加工衬底。所述设备还可以包括热板，设置在所述腔中，用于支撑所述待加工衬底并对所述待加工衬底进行加热。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 设备 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体制造设备，包括：壳体，所述壳体形成封闭的腔，待加工衬底设置在所述腔中；喷淋头，设置在所述壳体上，用于从所述壳体外向所述腔内提供气体，所述气体包括工艺气体；以及热丝，设置在所述喷淋头和待加工衬底之间，在工作时所述热丝被加热，其中，来自喷淋头的所述气体流过所述热丝，所述热丝使得所述工艺气体离子化，以及其中，被离子化的气体被提供到所述待加工衬底，以用于对所述衬底或所述衬底的一部分执行热丝辅助的等离子辅助预清洗或用于热丝辅助的原子层沉积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
