[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610007847.1 | 申请日： | 2016-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN106946216B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 洪中山;王伟;郑超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆上形成有粘结材料层；步骤S2：在所述粘结材料层的侧壁上形成第一间隙壁，以覆盖所述侧壁；步骤S3：在所述第一间隙壁上形成第二间隙壁，以覆盖所述第一间隙壁的侧壁；步骤S4：去除所述第一间隙壁，以在所述粘结材料层和所述第二间隙壁之间形成凹槽，防止接合过程中接合材料的溢出。通过所述方法可以很好地解决现有技术金属材料溢出造成桥连或者其他问题的发生，提高了MEMS器件键合质量，进一步提高了MEMS器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆上形成有粘结材料层；步骤S2：在所述粘结材料层的侧壁上形成第一间隙壁，以覆盖所述侧壁；步骤S3：在所述第一间隙壁上形成第二间隙壁，以覆盖所述第一间隙壁的侧壁；步骤S4：去除所述第一间隙壁，以在所述粘结材料层和所述第二间隙壁之间形成凹槽，防止接合过程中接合材料的溢出；其中，所述步骤S2包括：步骤S21：沉积第一间隙壁材料层，以覆盖所述底部晶圆和所述粘结材料层；步骤S22：全面蚀刻所述第一间隙壁材料层，以在所述粘结材料层的内外侧壁上均形成第一间隙壁。
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