[发明专利]组合物和使用所述组合物沉积含硅膜的方法

摘要

本文描述了组合物和使用所述组合物在具有表面特征的衬底的至少一个表面上形成含硅膜(例如，但不限于，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳掺杂氮化硅或碳掺杂氧化硅膜)的方法。在一个方面，所述组合物包含选自硅氧烷、基于三甲硅烷基胺的化合物、有机氨基乙硅烷化合物和环状三硅氮烷化合物的至少一种化合物。

主权项

一种用于使用可流动化学气相沉积在包含表面特征的衬底的至少一个表面上沉积含硅膜的组合物，所述组合物包含：(a)选自以下的硅氧烷化合物：(b)选自以下的基于三甲硅烷基胺的化合物：其中取代基R各自独立地选自氢原子；卤素原子；直链C1‑C10烷基；支链C3‑C10烷基；直链或支链C3‑C12烯基；直链或支链C3‑C12炔基；C4‑C10环烷基；和C6‑C10芳基；(c)具有下式III的有机氨基乙硅烷化合物：其中取代基R1和R2各自独立地选自氢原子；卤素原子；直链C1‑C10烷基；支链C3‑C10烷基；直链或支链C3‑C12烯基；直链或支链C3‑C12炔基；C4‑C10环烷基；和C6‑C10芳基；其中任选地，R1和R2可以连接在一起以形成选自取代或未取代的芳族环或者取代或未取代的脂族环的环；并且n＝1或2；(d)具有下式IV的环硅氮烷化合物：其中取代基R1、R2和R3各自独立地选自氢原子；卤素原子；直链C1‑C10烷基；支链C3‑C10烷基；直链或支链C3‑C12烯基；直链或支链C3‑C12炔基；C4‑C10环烷基；和C6‑C10芳基；其中任选地，R1、R2和R3中的任一个或多个可以连接在一起以形成选自取代或未取代的芳族环或者取代或未取代的脂族环的环。