[发明专利]衬底中的垂直沟槽布线有效
| 申请号： | 201580061527.8 | 申请日： | 2015-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN107112244B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | J.龚;B.E.谢;K.C.杨;H.L.赫克;K-Y.陈 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/00;H01L23/498;H01P3/08;H05K1/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐红燕;张涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种包括衬底中的垂直沟槽布线的互连拓扑结构。在一个实施例中，该互连包括：具有多个层的衬底，该多个层包括第一接地平面层；形成差分信号对的一对信号导线，该对信号导线中的每个导线都具有第一部分和第二部分，该第二部分从第一部分延伸到该多个层中的至少一个中，其中该第二部分的宽度小于第一部分的宽度；以及其中该第一接地平面层仅是第一局部层并且具有比第一局部层更靠近该对信号导线的第一空隙区。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 中的 垂直 沟槽 布线 | ||
【主权项】：
一种电气互连，其包括：具有多个层的衬底，该多个层包括第一接地平面层；形成差分信号对的一对信号导线，该对信号导线中的每个导线都具有第一部分和第二部分，该第二部分从第一部分延伸到该多个层中的至少一个中，其中第二部分的宽度小于第一部分的宽度；以及其中该第一接地平面层仅是第一局部层并且具有比第一局部层更靠近该对信号导线的第一空隙区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
