[发明专利]半导体装置、其制造方法、显示装置以及显示模块在审
| 申请号： | 201580055844.9 | 申请日： | 2015-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN107004602A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G02F1/1368;G09F9/00;G09F9/30;H01L21/316;H01L21/318;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 沙永生,朱黎明 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种电特性的变动被抑制且可靠性得到提高的包括氧化物半导体膜的半导体装置。该半导体装置包括栅电极；栅电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；电连接于氧化物半导体膜的源电极；电连接于氧化物半导体膜的漏电极；以及氧化物半导体膜、源电极及漏电极上的第二绝缘膜。第二绝缘膜具有包含卤素的区域，并且，在该区域中卤素以其浓度向第二绝缘膜的表面逐渐增高的方式分布。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 显示装置 以及 显示 模块 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：栅电极；所述栅电极上的第一绝缘膜；所述第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；电连接于所述氧化物半导体膜的源电极；电连接于所述氧化物半导体膜的漏电极；以及所述氧化物半导体膜、所述源电极及所述漏电极上的第二绝缘膜，其中，所述第二绝缘膜包括包含卤素的区域，并且，在所述区域中所述卤素以其浓度向所述第二绝缘膜的表面逐渐增高的方式分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
