[发明专利]氮化物半导体层叠体的制造方法和氮化物半导体层叠体在审
| 申请号： | 201580048531.0 | 申请日： | 2015-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN106688084A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 田尻雅之;伊藤伸之;小河淳;藤重阳介;冈崎舞;远崎学 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;C23C16/34;H01L21/20;H01L21/205;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳;池兵 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 氮化物半导体层叠体的制造方法包括：在反应炉内在衬底的上方形成第1氮化物半导体层(12)的第1氮化物半导体层形成工序；在第1氮化物半导体层(12)的上方形成第2氮化物半导体层(13)的第2氮化物半导体层形成工序；和在第2氮化物半导体层(13)的上表面形成与第2氮化物半导体层(13)相比带隙大的第3氮化物半导体层(14)的第3氮化物半导体层形成工序。第2氮化物半导体层形成工序与第3氮化物半导体层形成工序之间不被中断，第3氮化物半导体层形成工序与第2氮化物半导体层形成工序连续地被实施。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 层叠 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体层叠体的制造方法，其特征在于，包括：在反应炉内在衬底(11)的上方形成第1氮化物半导体层(12)的第1氮化物半导体层形成工序；在所述第1氮化物半导体层(12)的上方形成第2氮化物半导体层(13、213)的第2氮化物半导体层形成工序；和在所述第2氮化物半导体层(13、213)的上表面形成与所述第2氮化物半导体层(13、213)相比带隙大的第3氮化物半导体层(14、14B)的第3氮化物半导体层形成工序，所述第2氮化物半导体层形成工序与所述第3氮化物半导体层形成工序之间不被中断，所述第3氮化物半导体层形成工序与所述第2氮化物半导体层形成工序连续地被实施。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580048531.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
