[发明专利]有机薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201580009200.6 | 申请日： | 2015-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN106030822A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 新居辉树 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;张志楠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种有机薄膜晶体管，其为具有基板、设置在基板上的栅极电极、覆盖栅极电极而设置的第一栅极绝缘层、设置在第一栅极绝缘层上的第二栅极绝缘层、设置在第二栅极绝缘层上的有机半导体层、以及与有机半导体层接触地设置且藉由有机半导体层连结的源极电极和漏极电极的底栅型有机薄膜晶体管，所述有机薄膜晶体管中，对第一栅极绝缘层的第二栅极绝缘层侧表面实施取向处理，第二栅极绝缘层为使沿取向处理进行了取向的聚合性液晶性化合物在取向状态下聚合固定化而形成的层。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种有机薄膜晶体管，其为底栅型有机薄膜晶体管，该底栅型有机薄膜晶体管具有基板、设置在该基板上的栅极电极、覆盖该栅极电极而设置的第一栅极绝缘层、设置在第一栅极绝缘层上的第二栅极绝缘层、设置在第二栅极绝缘层上的有机半导体层、以及与该有机半导体层接触地设置且藉由该有机半导体层连结的源极电极和漏极电极，其中，对所述第一栅极绝缘层的所述第二栅极绝缘层侧表面实施取向处理，所述第二栅极绝缘层为将沿所述取向处理取向后的聚合性液晶性化合物在该取向状态下聚合固定化而形成的层。
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