[实用新型]一种高耐压封装子模组有效
| 申请号： | 201521087944.3 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN205264684U | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘文广;温家良 | 申请（专利权）人： | 国网智能电网研究院;国家电网公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/13;H01L23/02 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种高耐压封装子模组，所述封装子模组包括构件和框架；所述构件包括从上至下设置的上钼片、硅芯片、下钼片和银片；所述框架包括内框架和外框架；所述外框架为内侧设有凸台的筒状耐压框。本实用新型通过增加芯片的筒状耐压框，使芯片发射极和集电极之间的爬电距离大大增加，模组的耐压能力得到了提高，器件的耐压等级也就可以做的更高，另外芯片用来通电流的面积相对增大，功率器件在不增大体积的前提下通流能力也相应增大，整体的可使用容量增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐压 封装 模组 | ||
【主权项】：
一种高耐压封装子模组，所述封装子模组包括构件和框架；所述构件包括从上至下设置的上钼片、硅芯片、下钼片和银片；所述框架包括内框架和外框架。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国网智能电网研究院;国家电网公司，未经国网智能电网研究院;国家电网公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201521087944.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有槽型体接触结构的IGBT
- 下一篇：基板处理装置
