[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 201510926366.6 | 申请日： | 2015-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN106057232B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 朱鲁根;金度鸿;金载镒 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件可以包括：存储体，具有以预定地址间隔布置的多个字线；地址锁存单元，适用于储存与所述多个字线中的目标字线相对应的目标地址；以及刷新控制单元，适用于响应于智能刷新命令来基于目标地址对第一字线至第N字线执行刷新操作，第一字线至第N字线距离目标字线具有不同的地址间隔，其中，N是自然数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：存储体，具有以预定地址间隔布置的多个字线；地址锁存单元，适用于储存与所述多个字线中的目标字线相对应的目标地址；以及刷新控制单元，适用于响应于智能刷新命令来基于目标地址对第一字线至第N字线执行刷新操作，第一字线至第N字线距离目标字线具有不同的地址间隔，其中，N是自然数。
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