[发明专利]半导体晶圆测试及凸块的制造方法、半导体器件及电子装置在审

专利信息
申请号: 201510848629.6 申请日: 2015-11-27
公开(公告)号: CN106816394A 公开(公告)日: 2017-06-09
发明(设计)人: 金晨;何文文;杨莉娟 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/48
代理公司: 北京市磐华律师事务所11336 代理人: 董巍,高伟
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种半导体晶圆测试方法及晶圆凸块的制造方法、半导体器件及电子装置,涉及半导体技术领域。该半导体晶圆测试方法在进行探针测试时,使测试针痕偏离所述焊盘的中心位置。该晶圆凸块的制造方法包括在进行探针测试时,使测试针痕偏离所述焊盘的中心位置,并使用于形成晶圆凸块的焊盘开口,位于不受所述测试针痕影响的区域。本发明的晶圆测试方法以及晶圆凸块制造方法,可以彻底防止测试针痕对凸块工艺中的球底金属层制备造成影响,避免出现诸如凸块缺失的缺陷,从而改善封装的可靠性以及进一步提高封装的良率。该半导体器件及电子装置采用上述晶圆测试方法以及晶圆凸块的制造方法,具有类似的优点。
搜索关键词: 半导体 测试 制造 方法 半导体器件 电子 装置
【主权项】:
一种半导体晶圆测试方法,所述半导体晶圆内形成有包含电路的多个芯片,所述半导体晶圆上形成与所述晶圆内的电路连接,用于与后续封装电路连接的焊盘,其特征在于,该测试方法包括:对所述半导体晶圆进行探针测试,以选出不合格的芯片,其中,在进行探针测试时,使测试针痕偏离所述焊盘的中心位置。
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