[发明专利]半导体处理装置及方法有效
| 申请号： | 201510836143.0 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106783669B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 温子瑛;王致凯 | 申请（专利权）人： | 无锡华瑛微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体处理装置，其包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部。第一腔室部具有自其面向微腔室的内壁表面凹陷形成的凹槽道、与所述凹槽道的第一位置连通的第一通孔和与所述凹槽道的第二位置连通的第二通孔。在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述待处理半导体晶圆容纳于所述微腔室内时，所述待处理半导体晶圆的一个表面与形成所述凹槽道的内壁表面相抵靠，此时所述凹槽道借助所述待处理半导体晶圆的所述表面的阻挡形成一条封闭通道，该条封闭通道通过第一通孔和第二通孔与外部相通。这样不仅可以精确的控制处理流体的流动方向以及流动速度，还可以大大节省处理流体的用量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体处理装置，其特征在于，其包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，待处理半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述待处理半导体晶圆能够被取出或放入；第一腔室部具有自该第一腔室部面向所述微腔室的内壁表面凹陷形成的凹槽道、自外部穿过该第一腔室部以与所述凹槽道的第一位置连通的第一通孔和自外部穿过该第一腔室部以与所述凹槽道的第二位置连通的第二通孔，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述待处理半导体晶圆容纳于所述微腔室内时，所述待处理半导体晶圆的一个表面与形成所述凹槽道的内壁表面相抵靠，此时所述凹槽道借助所述待处理半导体晶圆的所述表面的阻挡形成一条封闭通道，该条封闭通道通过第一通孔和第二通孔与外部相通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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