[发明专利]一种功率模块在审
申请号: | 201510819521.4 | 申请日: | 2015-11-23 |
公开(公告)号: | CN105470249A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | 徐文辉;王玉林;滕鹤松 | 申请(专利权)人: | 扬州国扬电子有限公司 |
主分类号: | H01L25/11 | 分类号: | H01L25/11;H01L23/48;H02M1/00 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 陈静 |
地址: | 225000 江苏省扬州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种功率模块,包括正电极、负电极、输出电极、上桥臂集合、下桥臂集合和过渡铜层,所述下桥臂集合包括下桥臂芯片铜层、下桥臂接线铜层以及安装在下桥臂芯片铜层上的下桥臂芯片单元,所述下桥臂接线铜层位于下桥臂芯片铜层与过渡铜层之间,所述下桥臂芯片单元通过邦定线与下桥臂接线铜层相连。本发明通过改变铜层的分布结构来改变电流路径,相邻设置下桥臂芯片铜层、下桥臂接线铜层、过渡铜层相互配合,减小了工作电流与续流电流的续流回路面积,降低了杂散电感和开关损耗以及电路的复杂性,提高了模块的可靠性,能够应用在高速功率模块领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 模块 | ||
【主权项】:
一种功率模块,包括正电极(1)、负电极(2)、输出电极(3)、上桥臂集合、下桥臂集合和过渡铜层(6),其特征在于,所述下桥臂集合包括下桥臂芯片铜层(4)、下桥臂接线铜层(5)以及安装在下桥臂芯片铜层(4)上的下桥臂芯片单元(7),所述下桥臂接线铜层(5)位于下桥臂芯片铜层(4)与过渡铜层(6)之间,所述下桥臂芯片单元(7)通过邦定线与下桥臂接线铜层(5)相连;从正电极(1)流出的工作电流(11)通过过渡铜层(6)流入上桥臂集合最终流至输出电极(3);由负电极(2)流出的续流电流(21)流入下桥臂接线铜层(5),再经邦定线流入下桥臂芯片铜层(4)上的下桥臂芯片单元(7),最终流至输出电极(3)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州国扬电子有限公司,未经扬州国扬电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510819521.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 功率切换模块、集成该功率切换模块的转换器及制造方法-201780076935.X
- 弗里德瓦尔德·基尔;奥利维尔·贝努里 - 维迪科研究所;埃尔维亚PCB集团
- 2017-12-05 - 2019-10-11 - H01L25/11
- 一种功率切换模块,其包括第一分总成和第二分总成,该第一分总成和第二分总成彼此叠置以形成堆叠并分别包括形成桥臂的第一电子功率开关和第二电子功率开关。该模块包括中间金属板(LW7)以及第一金属端板和第二金属端板(LW2、LW12),该第一金属端板和第二金属端板形成该堆叠的上端和下端。根据本发明,该模块还包括第一接线终端金属杆、第二接线终端金属杆和第三接线终端金属杆(1、2、3),该第一接线终端金属杆、第二接线终端金属杆和第三接线终端金属杆在堆叠中延伸并穿过该堆叠的上端和下端中的至少一个,第一接线终端金属杆、第二接线终端金属杆和第三接线终端金属杆分别与第一金属端板和第二金属端板以及中间金属板电连接。
- 用于集成功率芯片的方法和电子功率模块-201780076945.3
- 弗里德瓦尔德·基尔;奥利维尔·贝努里 - 维迪科研究所;埃尔维亚PCB集团
- 2017-12-05 - 2019-10-11 - H01L25/11
- 一种方法,其包括1)通过在形成金属基底(MB1、MB2)的板上层叠绝缘内层和导电内层(PP、CP、EI)来制造第一基板和第二基板(EB1、EB2),至少一个电子芯片(MT、MD)夹设在基板之间,该基板制造成其上层叠表面具有匹配的轮廓,2)通过基板的具有匹配的轮廓的上表面而堆叠并接合基板;并且3)对基板进行压力组装,以制造用于集成电子功率装置的层叠分总成。该方法要求使用称为IMS类型的技术。
- 一种IGBT串联压接封装单元及使用该封装单元的直流断路器-201610684150.8
- 吴军辉;耿杰;刘恒;赵芳帅;钟建英;程铁汉;高树同;王鹏;邓渊;袁婷婷;张培园 - 平高集团有限公司;北京平高清大科技发展有限公司;国家电网公司;国网山东省电力公司电力科学研究院
- 2016-08-18 - 2019-05-10 - H01L25/11
- 本发明提供了一种IGBT串联压接封装单元及使用该封装单元的直流断路器,IGBT串联压接封装单元包括支撑框架和位于支撑框架中的IGBT阀串,支撑框架上于IGBT阀串的一端设置有压装应力锥,支撑框架包括靠近压装应力锥一端的第一法兰板,第一法兰板上螺纹连接有与第一法兰板形成丝杠螺母机构的压力适配器,压力适配器上设置有供压装应力锥的顶杆穿过的穿孔,压力适配器具有与压装应力锥顶压配合的顶压端。本发明的有益效果在于:压力适配器与第一法兰板螺纹配合,从而可以通过压力适配器的旋转使其在第一法兰板上精确向内移动,直至间隙被精确填满,保证了所施加的压力与保持的压力完全一致,实现了压装力的精确控制,保证了压装效果,提高了压装质量。
- 半导体器件-201610127875.7
- 佐藤幸弘;宇野友彰 - 瑞萨电子株式会社
- 2009-06-10 - 2019-05-07 - H01L25/11
- 本发明提供一种半导体器件。在半导体器件(SM1)的封装(PA)内包装了形成有功率金氧半场效晶体管的半导体芯片(4PH,4PL)、和形成有控制其动作的控制电路的半导体芯片(4D),半导体芯片(4PH,4PL,4D)各自被搭载在印模焊垫(7D1,7D2,7D3)上。高边的半导体芯片(4PH)的源电极用的接合焊垫(12S1,12S2),经由金属板(8A)与印模焊垫(7D2)电连接。在印模焊垫(7D2)的上表面设有形成于搭载了半导体芯片(4PL)的区域的电镀层(9b)、以及形成于接合有金属板(8A)的区域的电镀层(9c),电镀层(9b)和电镀层(9c)经由未形成有电镀层的区域被隔开。本发明可提高半导体器件的可靠性。
- 一种功率模块-201510820876.5
- 徐文辉;王玉林;滕鹤松 - 扬州国扬电子有限公司
- 2015-11-23 - 2019-05-03 - H01L25/11
- 本发明公开的一种功率模块,包括底板、正电极、负电极、输出电极和设置在底板上的绝缘基板,正电极、负电极和输出电极与底板之间均设有绝缘层,绝缘基板包括导热绝缘层以及形成于该导热绝缘层上的铜层,绝缘基板的铜层上设有多个相互独立的环形绝缘槽,每个绝缘槽所包围的铜层为下桥臂铜层,绝缘槽外侧的铜层为上桥臂铜层,上桥臂铜层上设有上桥臂芯片单元,下桥臂铜层上设有下桥臂芯片单元;上桥臂铜层在靠近正电极的一端设有接线区,接线区与下桥臂铜层之间设有下桥臂源极接线排,下桥臂源极接线排包括接线排导热绝缘层和形成于接线排导热绝缘层上的接线排铜层;本发明减小了续流回路面积,减小了杂散电感和开关损耗,提高了模块的可靠性。
- 一种功率模块-201510819525.2
- 徐文辉;王玉林;滕鹤松 - 扬州国扬电子有限公司
- 2015-11-23 - 2019-05-03 - H01L25/11
- 本发明公开的一种功率模块,包括底板、正电极、负电极、输出电极和设置在底板上的绝缘基板,正电极、负电极和输出电极与底板之间均设有绝缘层,绝缘基板包括导热绝缘层以及形成于该导热绝缘层上的铜层,绝缘基板的铜层上设有多个相互独立的环形绝缘槽,每个绝缘槽所包围的铜层为下桥臂铜层,绝缘槽外侧的铜层为上桥臂铜层,上桥臂铜层上设有上桥臂芯片单元,下桥臂铜层上设有下桥臂芯片单元;上桥臂铜层在靠近正电极的一端设有接线区,接线区与下桥臂铜层之间设有下桥臂源极接线排,下桥臂源极接线排包括接线排导热绝缘层和形成于接线排导热绝缘层上的接线排铜层;本发明减小了续流回路面积,减小了杂散电感和开关损耗,提高了模块的可靠性。
- 用于HVDC功率转换器的阀装置-201580041940.8
- M·李;E·佩尔森;陈楠;M·海蒂南;C·托恩克维斯特;O·乔斯塔姆 - ABB瑞士股份有限公司
- 2015-01-19 - 2019-04-23 - H01L25/11
- 本公开涉及一种包括串联电连接的多个阀单位(410‑450)的阀装置(400)。第一阀单位(410)包括容器(130),容器(130)中布置有至少一个转换器单元(120)的堆叠。容器至少部分地填充有电绝缘气体(115)。阀装置还包括至少一个第一连接器(460),其包括将容器一端处的第一阀单位的单元(421)电连接到第二阀单位(420)的单元(441)的第一汇流条元件(420)。第一连接器通过电绝缘气体(465)绝缘。此外,阀装置包括至少一个第二连接器(470),其包括用于在容器的另一端处的第一阀单位的另一单元的连接的汇流条元件(471)。
- 一种功率模块-201510816485.6
- 徐文辉;王玉林;滕鹤松 - 扬州国扬电子有限公司
- 2015-11-23 - 2019-02-01 - H01L25/11
- 本发明公开了一种功率模块,包括底板、正电极、负电极、输出电极和绝缘基板,绝缘基板设于底板上,正电极、负电极和输出电极与底板之间均设有绝缘层,绝缘基板包括导热绝缘层以及形成于该导热绝缘层上的铜层;所述绝缘基板的铜层上设有多个相互独立的环形绝缘槽,绝缘槽包围的铜层为下桥臂铜层,绝缘槽外侧的铜层为上桥臂铜层,下桥臂铜层上设有下桥臂功率芯片单元,上桥臂铜层上设有上桥臂功率芯片单元;由正电极流出的工作电流通过上桥臂铜层流入上桥臂功率芯片单元,最后流至输出电极;由负电极流出的续流电流通过下桥臂功率芯片单元流入下桥臂铜层,最后流至输出电极。
- 用于多个压紧接触式半导体器件的改良型盘形单元-201580020447.8
- M·申克;J·普日比拉;R·巴特尔梅斯;J·多恩 - 英飞凌科技有限两合公司;西门子股份有限公司
- 2015-02-17 - 2018-12-11 - H01L25/11
- 本发明涉及一种盘形单元(1),其作用是借助产生夹紧力(F)的夹紧装置(4、13),使多个半导体器件实现压紧接触,所述盘形单元包括:壳体(2、3、7、8);至少一个安装在壳体中的第一类型的第一半导体器件(6);至少一个安装在壳体中的第二类型(不同于第一类型)的第二半导体器件(5);其中壳体(2、3、7、8)至少包含一块覆盖第一半导体器件(6)和第二半导体器件(5)的、与夹紧力(F)基本垂直的金属压板(2),用于夹紧第一和第二半导体器件,夹紧力(F)以局部限制的方式(9)施加到压板(2)上,以便通过压板(2)夹紧第一半导体器件(6)和第二半导体器件(5),其中第一半导体器件(6)设置在夹紧力(F)的局部作用区(9)下方,第二半导体器件(5)至少部分设置在局部作用区(9)之外。
- 一种便于维修的三相二极整流器-201721468054.6
- 方爱俊 - 常州港华半导体科技有限公司
- 2017-11-06 - 2018-06-12 - H01L25/11
- 本实用新型涉及整流器的技术领域,特别地涉及一种便于维修的三相二极整流器,包括底板,底板上固定连接有三个电极芯片单元,电极芯片单元包括:陶瓷基板,第一电极固定连接于底板上方,第一半导体芯片固定连接于第一电极上,第二电极包括:依次一体设置的延伸部、第二焊接部、第二连接部和第二折弯部,第二焊接部固定连接于底板上方,第二半导体芯片固定连接于第二焊接部上方,第三电极,第三电极固定连接于第二半导体芯片上方,连接桥两端分别与第一半导体芯片的上端面和延伸部连接,本实用新型提供了一种便于维修的三相二极整流器,解决了整流器损坏后需更换整个整流器成本太高的问题,节约了成本,给生产带来更好的连续性。
- 一种大功率二极管整流桥-201721686445.5
- 孔凡伟;段花山;陆新城 - 山东晶导微电子有限公司
- 2017-12-07 - 2018-06-05 - H01L25/11
- 本实用新型公开了一种大功率二极管整流桥,包括安装套,所述安装套上端开设有空腔,所述空腔内设有二极管,所述二极管两端对称设有平角,所述空腔内对称设有焊锡,每个所述平角远离二极管的一端均与焊锡固定连接,所述二极管上下两端均对称设有弹簧,所述安装套上端设有盖板,所述空腔两侧对称设有卡槽,且盖板两端均设置在卡槽内,并与卡槽滑动连接,所述盖板下端设有支撑板,且支撑板设置在二极管上方,所述位于二极管上端的弹簧远离二极管的一端与支撑板连接,所述安装套两侧对称设有安装板,本实用新型结构简单,整体稳定性好,二极管便于更换,整流桥整体散热性好。
- 一种防潮红外传感器-201721319399.5
- 胡金华 - 深圳市军硕电子科技有限公司
- 2017-10-13 - 2018-05-01 - H01L25/11
- 本实用新型涉及一种防潮红外传感器,包括安装壳,安装壳内设置有PIN二极管、铝基板和场效应管;PIN二极管与场效应管电连接;安装壳上设置有与PIN二极管正对的透镜和安装透镜的安装孔;安装孔内壁下端设置有对透镜定位的定位环;安装孔内壁还设置有多个注胶口、与注胶口一一对应连通的螺旋型流道槽和环形连接槽;多个流道槽相互交叉连通,且下端均与连接槽连通;通过设置多个注胶口,注胶时余留至少一个注胶口作为透气口,其余注胶口注胶,注入胶水呈多层螺旋交叉螺旋状,大大增加防水防潮性能,同时保证了透镜安装紧固程度。
- 一种混合型高压增强型器件结构及其封装件-201610458471.6
- 姜元祺 - 中航(重庆)微电子有限公司
- 2016-06-22 - 2017-12-29 - H01L25/11
- 本发明提供一种混合型高压增强型器件结构及其封装件,所述混合型高压增强型器件结构包括低压增强型晶体管及高压耗尽型晶体管,所述低压增强型晶体管的源端与所述高压耗尽型晶体管的栅端共同连接于源极输出端;所述低压增强型晶体管的栅端连接于栅极输出端;所述高压耗尽型晶体管的漏端连接于漏极输出端;所述高压耗尽型晶体管的源端与所述低压增强型晶体管的漏端相连。本发明用于解决现有技术中传统的工艺很难获得高可靠性的高压增强型晶体管且制作工艺要求高的问题。
- 一种硅器件/散热器堆叠组件以及一种用于将所述叠组中有缺损的硅器件拆离的方法-201480009771.5
- 罗曼·劳博;马雷克·福瑞克;约翰·施瓦岑贝格 - 通用电气技术有限公司
- 2014-02-19 - 2017-12-15 - H01L25/11
- 本发明涉及一种硅器件/散热器堆叠组件以及一种用于将所述堆叠组件中有缺损的硅器件拆离的方法。所述硅器件/散热器堆叠组件包括多个硅器件盘(20)的布置,两个相邻的硅器件盘(20)通过扁平散热器装置(22)分隔,每个硅器件盘(20)和每个散热器装置(22)包括其两个面上的对中孔,硅器件盘与相邻的散热器装置的相邻对中孔之间放置有对中销。每个散热器装置(22)在其相对的两端穿透有两个引导孔(24)。
- 具有弹簧装置的夹紧组件-201490001522.7
- M.勃姆;H.S.布雷姆;D.施密特 - 西门子公司
- 2014-07-03 - 2017-12-15 - H01L25/11
- 本实用新型涉及一种夹紧组件(1),其具有机械地拉紧的、以堆叠方式相互贴靠的构件的结构(2),所述构件具有弹簧装置以及用于在构件的结构(2)上产生机械压力的夹紧装置。本实用新型的特征在于,弹簧装置是由多个并列布置并且相互连接的膜片弹簧元件(31)构成的弹簧板(3)。本实用新型还涉及一种变流器的子模块,其具有功率半导体开关单元的至少一个串联电路和相对于其并联布置的能量存储器,其中在夹紧装置中实现功率半导体开关单元的串联电路。
- 星形电路封装结构-201720162385.0
- 黎永阳 - 东莞市阿甘半导体有限公司
- 2017-02-23 - 2017-11-17 - H01L25/11
- 提供了一种星形电路封装结构,包括第一连接件;第一芯片,该第一芯片的下表面与该第一连接件电连接;第二芯片,设置在该第一芯片上方并且该第二芯片的上表面与第二连接件的下表面电连接;第三芯片,设置在该第二芯片上方并且该第三芯片的下表面与第三连接件的上表面电连接;以及第四连接件,将该第三芯片的上表面与第一芯片的上表面和第二芯片的下表面进行电连接,其中该第一芯片、该第二芯片和该第三芯片三者中的至少一个芯片位于另外一个芯片的垂直投影中,以及该第二连接件的上表面和该第三连接件的下表面之间电气绝缘隔离。
- 一种便于串联使用的大功率IGBT模块-201610262592.3
- 唐新灵;莫申杨;崔翔;赵志斌;张朋;李金元;温家良 - 华北电力大学;全球能源互联网研究院;国家电网公司
- 2016-04-25 - 2017-10-31 - H01L25/11
- 本发明提供了一种便于串联使用的大功率IGBT模块,包括功率子单元、金属电极板和外部管壳;金属电极板设置在外部管壳的底部;外部管壳包括两列方形框架;两列方形框架之间留有空间形成一个条状框架;功率子单元设置在方形框架内且与金属电极板紧密接触,其包括金属端盖、栅极PCB板、辅助栅极PCB板和多个功率半导体芯片;辅助栅极PCB板设置在条状框架内;金属端盖、金属电极板和栅极PCB板分别与功率半导体芯片的集电极、发射极和栅极电气连接。与现有技术相比,本发明提供的一种便于串联使用的大功率IGBT模块,既有利于功率半导体器件的串联,同时不需要太大的钳位压力,降低了功率半导体器件在实际应用过程中对机械结构的要求。
- 电力开关装置-201621206673.3
- 黄水木;戴唐全;刘山鸣 - 力祥半导体股份有限公司
- 2016-11-09 - 2017-07-04 - H01L25/11
- 本实用新型关于一种电力开关装置,为一种可提升电连接性可靠度及有效定位的封装结构。电力开关装置包含基板、第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一金属夹板及第二金属夹板,基板具有第一接触部、第二接触部及第三接触部;第一半导体芯片具有第一电极与第二电极,第一半导体芯片的第二电极连接第一接触部;第二半导体芯片具有第一电极与第二电极,第二半导体芯片的第一电极连接第二接触部;第一金属夹板具有第一表面,且第一金属夹板连接第一半导体芯片的第一电极与第三接触部;第二金属夹板部份堆叠在第一金属夹板的第一表面,以连接第二半导体芯片的第二电极与第一金属夹板的第一表面,第一金属夹板与第二金属夹板的连接处存在定位结构。
- 便于串联使用的大功率IGBT模块-201620356491.8
- 唐新灵;莫申杨;崔翔;赵志斌;张朋;李金元;温家良 - 华北电力大学;全球能源互联网研究院;国家电网公司
- 2016-04-25 - 2017-05-03 - H01L25/11
- 本实用新型提供了一种便于串联使用的大功率IGBT模块,包括功率子单元、金属电极板和外部管壳;金属电极板设置在外部管壳的底部;外部管壳包括两列方形框架;两列方形框架之间留有空间形成一个条状框架;功率子单元设置在方形框架内且与金属电极板紧密接触,其包括金属端盖、栅极PCB板、辅助栅极PCB板和多个功率半导体芯片;辅助栅极PCB板设置在条状框架内;金属端盖、金属电极板和栅极PCB板分别与功率半导体芯片的集电极、发射极和栅极电气连接。与现有技术相比,本实用新型提供的一种便于串联使用的大功率IGBT模块,既有利于功率半导体器件的串联,同时不需要太大的钳位压力,降低了功率半导体器件在实际应用过程中对机械结构的要求。
- 半导体元件在半导体模块上的布置结构和相应方法-201610810415.4
- A·阿佩斯迈尔;J·阿萨姆 - 奥迪股份公司
- 2016-09-08 - 2017-04-12 - H01L25/11
- 本发明涉及一种半导体模块(10,10’,10”),其包括至少一个第一半导体元件,该第一半导体元件具有带有第一电极的第一侧和带有第二电极的第二侧;至少一个第二半导体元件,该第二半导体元件具有包括第一电极的第一侧和包括第二电极的第二侧,其中第一半导体元件(12)布置在第二半导体元件(14)之上,在第一半导体元件与第二半导体元件之间布置有导电连接结构(21),其中第一半导体元件的第二电极(12.2)与导电连接结构机械和电气连接,第二半导体元件的第一电极(14.1)与导电连接结构机械和电气连接。本发明还涉及一种由多个半导体模块组成的功率模块以及用于在半导体模块上布置半导体元件的方法和用于布置半导体模块以提供功率模块的方法。
- 一种组合式高压整流装置-201620306216.5
- 张裕;陈岗 - 鞍山雷盛电子有限公司
- 2016-04-13 - 2016-09-28 - H01L25/11
- 一种组合式高压整流装置,包括硅堆组件、PCB基板,若干个硅堆组件固定在PCB基板上,上述结构多层叠加,叠加层数不少于1层,上下两层PCB基板通过铜螺柱连接固定。本实用新型的有益效果是:1)采用硅堆整流组件与PCB相结合的分层结构,通过增加硅堆整流组件的层数来实现高压大电流高频整流。2)通过调节硅堆整流组件的层数,灵活调节高压整流装置的输出电压、电流,用以适应不同的工作环境和工作要求。3)硅堆组件采用横向纵向规则排列,可以保证散热渠道纵横畅通,改善了高压电场分布与散热环境,使高压油能在各个PCB组件间充分流动,实现了良好散热。有效的提高高压整流装置运行的稳定性与可靠性。
- 一种新能源车用IGBT功率模块-201620101332.3
- 刘志强;张功;文彦东;苏瑞涛;赵慧超 - 中国第一汽车股份有限公司
- 2016-02-02 - 2016-09-21 - H01L25/11
- 本实用新型涉及了一种新能源车用IGBT功率模块,由IGBT芯片、Diode芯片、厚铜缓冲垫块、功率端子、信号端子、冷却基板、导热绝缘层和树脂注模组成,所述IGBT芯片和二极管芯片通过焊料层与厚铜缓冲垫块相连,厚铜缓冲垫块通过焊料层与厚铜功率端子相连,实现功率连接,厚铜功率端子通过导热绝缘层与冷却基板相连,树脂注模之后形成IGBT功率模块。IGBT功率模块通过双面布置单端针脚或是单端翅片的冷却基板实现功率模块双面直接液冷,提高功率模块的强制散热能力;通过缓冲垫块实现芯片与厚铜功率端子连接,增加芯片散热热容,提高芯片极限工况抗热冲击能力;通过内置绝缘导热片,消除外置绝缘片接触不良或振动掉落引起热阻增加造成模块性能下降或模块损坏。
- 一种整流桥-201620120441.X
- 孙龙海 - 浙江泰莱姆微电子科技有限公司
- 2016-02-15 - 2016-08-31 - H01L25/11
- 本实用新型公开了一种整流桥,包括本体,所述本体设置有固定针脚,所述固定针脚连接有活动针脚,所述固定针脚外套设有紧固环,所述紧固环箍紧所述固定针脚从而将所述活动针脚紧固连接于所述固定针脚上。与现有技术相比,本实用新型提供的一种整流桥,能够很好的保护针脚部位,并且采用了两段式针脚的结构,能够快速替换被损坏的针脚,从而提高了整体的使用寿命。
- 一种太阳能防反二极管-201620221270.X
- 卢博朗 - 浙江柳晶整流器有限公司
- 2016-03-22 - 2016-08-17 - H01L25/11
- 本实用新型公开了一种太阳能防反二极管,具有底板,其特征在于,所述底板上设置有两块陶瓷片,两块陶瓷片上方分别设有第一芯片和第二芯片;还包括两个过桥:第一过桥和第二过桥、以及包括三个电极:第一电极、第二电极和第三电极;所述第一过桥的一端与第一芯片连接、另一端与第二电极连接,所述第二过桥的一端与第二芯片连接、另一端也与第二电极连接,第一芯片与其下方的陶瓷片之间设有所述第一电极;第二芯片与其下方的陶瓷片之间设有所述第三电极,三个电极的顶部均连接有螺丝。本实用新型的优点:过桥与芯片的接触面积大,并且焊接更牢固,通过的电流更大更平稳,同时散热也更快。整个结构连接牢固、使用安全,可避免电弧现象。
- 一种高压续流二极管模块-201620261891.0
- 黄福仁;黄国灿;林勇 - 福建安特微电子有限公司
- 2016-03-31 - 2016-08-10 - H01L25/11
- 本实用新型提供了一种高压续流二极管模块,包括壳体和壳体相配合构成腔体的底板,壳体上盖有一盖板,腔体内设有一个高压续流二极管组件,所述高压续流二极管组件包括至少三个高压续流二极管、绝缘基板、第一电极和第二电极,至少三个高压续流二极管、绝缘基板和第一电极均设于底板上,第二电极设于绝缘基板上,高压续流二极管包括一N型高掺杂硅衬底层、一第一N型掺杂半导体层、一第二N型掺杂半导体层、一二极管阳极层,三个高压续流二极管极性相同的N型高掺杂硅衬底层与第一电极相连;三个高压续流二极管极性相同的二极管阳极层与第二电极相连;第一电极和第二电极均引出所述盖板。本实用新型提供的高压续流二极管模块提高了各二极管之间的回路电流的均流性。
- 大功率可控硅串联组合装置-201620157004.5
- 杜瑞;王志刚;张圆;鲍伟 - 宁夏凯晨电气集团有限公司
- 2016-03-02 - 2016-07-27 - H01L25/11
- 本实用新型涉及一种大功率可控硅串联组合装置。其特点是:包括两块平行的侧板(2),在该两块侧板(2)之间分别固定安装有上支撑板(3a)和下支撑板(3b),在该下支撑板(3b)上安装有压紧机构,在该压紧机构的顶端安装有导流下母排(8),而在前述的上支撑板(3a)下方安装有导流上母排(12),在该导流上母排(12)和导流下母排(8)之间叠放安装有若干大功率可控硅(10)。本实用新型的有益效果是:安装时直接从推进器上施加扭矩,用来控制蝶形弹簧片的形变量,即可实现顶紧可控硅串联组合结构,不会压偏、压歪而损坏器件,确保可控硅串联组受力均匀、机械性能稳定。
- 一种陶瓷封装可控硅的简易串压安装装置-201521124417.5
- 江俊东;聂敬龙 - 合肥雷科电子科技有限公司
- 2015-12-31 - 2016-07-13 - H01L25/11
- 本实用新型涉及一种陶瓷封装可控硅的简易串压安装装置,包括基座和位于其上方的顶压板,基座向上设置第一导向定位机构,顶压板向下设置第二导向定位机构,一个或多个可控硅夹置在第一导向定位机构和第二导向定位机构之间,第一、二导向机构与可控硅之间、两相邻可控硅之间均设置导电板,基座和顶压板上开设可供至少三个螺栓穿过的安装孔,螺栓的螺杆上套设绝缘限位套管。本实用新型安装简单快捷,只用依次放入上述各器件,然后使用常规的紧固工具就能操作完成;由于采用蝶形簧片调整压力,同时通过绝缘限位套管限位,用于保证蝶形簧片的变形量,保证得到的装置轴向压力均匀且大小合适。
- 一种功率模块-201520942656.5
- 徐文辉;王玉林;滕鹤松 - 扬州国扬电子有限公司
- 2015-11-23 - 2016-05-04 - H01L25/11
- 本实用新型公开了一种功率模块,包括正电极、负电极、输出电极、上桥臂集合、下桥臂集合和过渡铜层,所述上桥臂集合包括上桥臂芯片铜层、上桥臂接线铜层以及安装在上桥臂芯片铜层上的上桥臂芯片单元,所述上桥臂接线铜层位于上桥臂芯片铜层与过渡铜层之间,所述上桥臂芯片单元通过邦定线与上桥臂接线铜层相连。本实用新型通过改变铜层的分布结构来改变电流路径,相邻设置的上桥臂芯片铜层、上桥臂接线铜层、过渡铜层相互配合,减小了工作电流与续流电流的续流回路面积,降低了杂散电感和开关损耗以及电路的复杂性,提高了模块的可靠性,能够应用在高速功率模块领域。
- 一种功率模块-201520941249.2
- 徐文辉;王玉林;滕鹤松 - 扬州国扬电子有限公司
- 2015-11-23 - 2016-05-04 - H01L25/11
- 本实用新型公开的一种功率模块,包括底板、正电极、负电极、输出电极和设置在底板上的绝缘基板,正电极、负电极和输出电极与底板之间均设有绝缘层,绝缘基板包括导热绝缘层以及形成于该导热绝缘层上的铜层,绝缘基板的铜层上设有多个相互独立的环形绝缘槽,每个绝缘槽所包围的铜层为下桥臂铜层,绝缘槽外侧的铜层为上桥臂铜层,上桥臂铜层上设有上桥臂芯片单元,下桥臂铜层上设有下桥臂芯片单元;上桥臂铜层在靠近正电极的一端设有接线区,接线区与下桥臂铜层之间设有下桥臂源极接线排,下桥臂源极接线排包括接线排导热绝缘层和形成于接线排导热绝缘层上的接线排铜层;本实用新型减小了续流回路面积,减小了杂散电感和开关损耗,提高了模块的可靠性。
- 一种功率模块-201510819521.4
- 徐文辉;王玉林;滕鹤松 - 扬州国扬电子有限公司
- 2015-11-23 - 2016-04-06 - H01L25/11
- 本发明公开了一种功率模块,包括正电极、负电极、输出电极、上桥臂集合、下桥臂集合和过渡铜层,所述下桥臂集合包括下桥臂芯片铜层、下桥臂接线铜层以及安装在下桥臂芯片铜层上的下桥臂芯片单元,所述下桥臂接线铜层位于下桥臂芯片铜层与过渡铜层之间,所述下桥臂芯片单元通过邦定线与下桥臂接线铜层相连。本发明通过改变铜层的分布结构来改变电流路径,相邻设置下桥臂芯片铜层、下桥臂接线铜层、过渡铜层相互配合,减小了工作电流与续流电流的续流回路面积,降低了杂散电感和开关损耗以及电路的复杂性,提高了模块的可靠性,能够应用在高速功率模块领域。
- 专利分类