专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]短路半导体器件及其运作方法-CN201980011054.9在审
  • U·克尔纳-韦德豪森;M·施特尔特;M·德罗尔德纳;D·皮科尔日;P·魏德纳;R·巴特尔梅斯;M·申克;J·普日比拉 - 英飞凌科技有限两合公司
  • 2019-01-23 - 2020-12-11 - H01L23/62
  • 一种短路半导体器件(15、22、29、34、40、45、49、52、56、59、62、66、70、72)包括半导体本体(16),其中,布置有第一导电类型的背面基极区域(6)、与所述第一导电类型互补的第二导电类型的内部区域(7)和第一导电类型的正面基极区域(8)。所述背面基极区域(6)与背面电极(11)导电地相连接,所述背面电极具有背面电极宽度(WER),并且所述正面基极区域(8)与正面电极(10)导电地相连接,所述正面电极具有正面电极宽度(WEV),其中,至少一个正面接通结构(17)被嵌入到所述正面基极区域中并且至少部分地被所述正面电极(10)覆盖,所述正面接通结构具有正面接通结构宽度(WSV),和/或者至少一个背面接通结构(31)被嵌入到所述背面基极区域中并且至少部分地被所述背面电极覆盖,所述背面接通结构具有背面接通结构宽度(WSR)。所述接通结构被设计成依赖于输入的接通信号而接通并且一次性地在两个电极之间建立不可逆的、低电阻的连接。所述正面接通结构宽度与所述正面电极宽度的比率以及所述背面接通结构宽度与所述背面电极宽度的比率分别小于1。本发明还涉及一种用于运作这样的短路半导体器件(15、22、29、34、40、45、49、52、56、59、62、66、70、72)的方法。
  • 短路半导体器件及其运作方法

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