[发明专利]栅极与源漏极异面的GaN基HEMT的结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201510524897.2 | 申请日： | 2015-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN105047709A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 程哲;张韵;张连 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了栅极与源漏极异面的GaN基HEMT(高电子迁移率晶体管)的结构与制作方法，能够降低栅极表面漏电，降低导通电阻。所述栅极与源漏极异面的GaN基HEMT，包括一个源极，一个漏极与一个栅极，其中栅极处于外延片的一面，而源漏两极处于另一面。由于栅极与源漏两极处于不同的平面，栅极表面漏电将减少，同时源漏距离可以设计的相对较小，从而减少导通电阻。本发明可以减少栅极表面漏电流，并通过缩短源漏电极间距减少正向导通电阻，从而减少GaN基HEMT在使用中的电能损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 源漏极异面 gan hemt 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种栅极与源漏极异面的GaN基HEMT的结构，包括位于衬底上的GaN基HEMT外延结构(1)、(2)，在所述外延结构上具有栅极(4)、源源极(6)、漏电极(7)，其中在栅极(4)与外延结构之间存在一个介质层(3)，在栅极(4)上表面存在一个电镀铜衬底(5)，栅极(4)处于器件的上表面，而源漏电极(6)则处于器件的下表面(外延方向为上)，转移衬底处于栅极(4)的上表面，其中，栅极(4)处于不同于源漏极(6)所在平面的另一平面，可以用于实现增强型或耗尽型GaN基HEMT。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510524897.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种制备自然风干蚯蚓的方法
- 下一篇：用于LTE设备的随机接入信道增强
- 同类专利
- 专利分类
