[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201510387788.0 | 申请日： | 2015-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN106328513B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底、位于基底表面的待刻蚀层、以及位于待刻蚀层表面的金属膜；在金属膜表面形成金属有机材料膜；图形化金属有机材料膜，在金属膜表面形成具有第一线边缘粗糙度的金属有机材料层；对金属有机材料层侧壁进行氢还原处理，氢还原处理后的金属有机材料层侧壁表面具有小于第一线边缘粗糙度的第二线边缘粗糙度；以氢还原处理后的金属有机材料层为掩膜刻蚀所述金属膜，在待刻蚀层表面形成若干分立的金属层；采用金属辅助化学刻蚀工艺对待刻蚀层进行刻蚀，刻蚀去除被金属层覆盖的待刻蚀层，在基底表面形成若干分立的刻蚀层。本发明减小刻蚀层侧壁表面的线边缘粗糙度，提高半导体结构的良率和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底、位于基底表面的待刻蚀层、以及位于待刻蚀层表面的金属膜；在所述金属膜表面形成金属有机材料膜；图形化所述金属有机材料膜，在所述金属膜表面形成若干分立的金属有机材料层，所述金属有机材料层侧壁表面具有第一线边缘粗糙度；对所述金属有机材料层侧壁进行氢还原处理，氢还原处理后的金属有机材料层侧壁表面具有第二线边缘粗糙度，且第二线边缘粗糙度小于第一线边缘粗糙度；以所述氢还原处理后的金属有机材料层为掩膜刻蚀所述金属膜，在所述待刻蚀层表面形成若干分立的金属层；采用金属辅助化学刻蚀工艺对所述待刻蚀层进行刻蚀，刻蚀去除被所述金属层覆盖的待刻蚀层，保留未被所述金属层覆盖的待刻蚀层，在所述基底表面形成若干分立的刻蚀层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510387788.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种水泥熟料篦冷机锁风控制器
- 下一篇：一种流水线式陶瓷烘烤降温机构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
