[发明专利]处理腔、处理腔和真空锁组合以及基片处理系统有效
申请号: | 201510276763.3 | 申请日: | 2015-05-27 |
公开(公告)号: | CN106298583B | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 陶珩;倪图强;王谦 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 31249 上海信好专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 朱成之<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种基片处理系统,其具有一个大气环境的前端模组和一个真空环境的主机架、连接到主机架的主处理腔、一个位于该前端模组和主机架之间的真空锁、以及至少一个连接到真空锁的辅助处理腔。 | ||
搜索关键词: | 处理 真空 组合 以及 系统 | ||
【主权项】:
1.一种用于处理基片的处理腔,位于一半导体处理系统中,所述半导体处理系统具有一主机架和一真空锁,所述真空锁与所述主机架之间设置连接端口,所述处理腔包括:/n一处理腔腔体,在其内部定义有处理区域,实现对基片的工艺处理,所述处理腔腔体具有连接机制,用以将所述处理腔腔体连接到所述真空锁的侧壁;/n一第一端口,被设置用以在所述处理区域和主机架之间传输基片;/n一第二端口,被设置用以在所述处理区域和真空锁之间传输基片;/n所述真空锁内设置一装载机器人,用于实现所述处理处理区域和所述真空锁之间的基片传输。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造