[发明专利]处理腔、处理腔和真空锁组合以及基片处理系统有效

专利信息
申请号: 201510276763.3 申请日: 2015-05-27
公开(公告)号: CN106298583B 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 陶珩;倪图强;王谦 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 31249 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 代理人: 朱成之<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种基片处理系统,其具有一个大气环境的前端模组和一个真空环境的主机架、连接到主机架的主处理腔、一个位于该前端模组和主机架之间的真空锁、以及至少一个连接到真空锁的辅助处理腔。
搜索关键词: 处理 真空 组合 以及 系统
【主权项】:
1.一种用于处理基片的处理腔,位于一半导体处理系统中,所述半导体处理系统具有一主机架和一真空锁,所述真空锁与所述主机架之间设置连接端口,所述处理腔包括:/n一处理腔腔体,在其内部定义有处理区域,实现对基片的工艺处理,所述处理腔腔体具有连接机制,用以将所述处理腔腔体连接到所述真空锁的侧壁;/n一第一端口,被设置用以在所述处理区域和主机架之间传输基片;/n一第二端口,被设置用以在所述处理区域和真空锁之间传输基片;/n所述真空锁内设置一装载机器人,用于实现所述处理处理区域和所述真空锁之间的基片传输。/n
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