[发明专利]一种半导体有机发光二极管显示装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体有机发光二极管显示装置，包括基板；位于该基板上的有机发光元件包括有机发光二极管、薄膜晶体管和连接电路；覆盖所述有机发光元件且与基板相结合的封装部。该显示装置运行速度快、清晰度高、产品的使用寿命较长、成本低、具有高发光效率和较低的操作电压。本发明同时公开了制造该半导体有机发光二极管显示装置的方法。

主权项

一种半导体有机发光二极管显示装置，包括 ：基板 ；位于该基板上的有机发光元件 ；覆盖所述有机发光元件且与基板相结合的封装部 ：具备交替设置的有机层和无机层，各该有机层的厚度相同，各该无机层的厚度相同且该有机层的厚度大于该无机层的厚度，距离该基板和该有机发光元件最近和最远的位置处均设置的是无机层 ；其特征在于，位于该基板上的有机发光元件，包括 ：有机发光二极管，包括 ：阳极 ；位于阳极上的空穴注入层，通过将聚乙撑二氧噻吩混合聚苯乙烯磺酸的水溶液施加到阳极上并干燥以形成空穴注入层 ；位于空穴注入层上的空穴传输层，其由氟化聚乙烯基咔唑形成 ；位于空穴传输层上的发光层，通过将 60 重量％作为基质材料的聚乙烯基 (2，7‑ 二氟咔唑 )、10 重量％作为蓝色磷光发光材料的 [ 二 (4，6‑ 二氟苯基 )‑ 吡啶根合 ‑N，C2’] 吡啶甲酸合铱以及 30 重量％作为电子传输材料的 1，3‑ 二[(4‑ 叔丁基苯基 )‑1，3，4‑ 噁二唑 ] 苯溶解在甲苯的有机溶剂中而制备的溶液施加到空穴传输层上并干燥以形成 ；位于发光层上的电子传输层 ；位于电子传输层上的电子注入层 ；位于电子注入层上的阴极 ；其中空穴传输层的 HOMO 能级处于发光层 HOMO 能级和阳极或空穴注入层的HOMO能级之间，电子传输层的LOMO能级处于发光层 LOMO能级和阴极或电子注入层的 LOMO 能级之间 ；第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第一电容元件、第二电容元件，所述第一、第二、第三薄膜晶体管均为底栅型薄膜晶体管，包括 ：衬底 ；形成在衬底上的栅电极 ；形成在栅电极上的栅绝缘层，该第一、第二、第三薄膜晶体管的栅绝缘层使得其开启电压 VON 满足 ：VON ≤ VDD×C1/(C1+C2) 的关系，其中，表示第一电容元件的电容，表示第二电容元件的电容 ；形成在栅绝缘层上的有机半导体层 ；形成在有机半导体层上的源电极和漏电极 ；和连接电路，包括 ：所述有机发光二极管的阴极端连接电源电压 VSS，阳极端连接第一薄膜晶体管的源电极，该第一薄膜晶体管的漏电极连接第二薄膜晶体管的源电极，该第二薄膜晶体管的漏电极连接第一电容元件的第一端，且该第二薄膜晶体管的漏电极与该第一电容元件的第一端同时连接电源电压 VDD，该第一电容元件的第二端同时与该第一薄膜晶体管的栅电极和第二电容元件的第一端连接，该第二电容元件的第二端与第三薄膜晶体管的漏电极连接，该第三薄膜晶体管的源电极和栅电极分别与不同的数据线进行连接。