[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 201510029040.3 | 申请日： | 2015-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN105870285B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 邱新智;陈世益;吕志强 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/06;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体发光元件，包含一外延叠层具有一第一半导体层、一第二半导体层以及一有源层位于该第一半导体层以及该第二半导体层之间用以产生一光波；以及一主要出光面位于该第一半导体层之上，该光波穿透过该主要出光面；其中，该主要出光面包含一第一出光区域、一第二出光区域以及一最大近场发光强度，该第一出光区域内的近场发光强度分布介于该最大近场发光强度的70％到100％之间，该第二出光区域内的近场发光强度分布介于该最大近场发光强度的0％到70％之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，包含：外延叠层，具有第一半导体叠层、第二半导体叠层以及有源层，位于该第一半导体叠层与该第二半导体叠层之间，用以产生一光波；控制层，包含导电区域与电绝缘区域环绕该导电区域；以及主要出光面，位于该第一半导体叠层之上，该光波穿透过该主要出光面；其中，该主要出光面包含第一出光区域、第二出光区域以及最大近场发光强度，该第一出光区域内的近场发光强度分布介于该最大近场发光强度的70％到100％之间，该第二出光区域内的近场发光强度分布介于该最大近场发光强度的0％到70％之间，该第一出光区域的面积与该第二出光区域的面积比介于0.25～0.45之间。
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