[发明专利]使用具有表面终止物的纳米线形成的缩放的TFET晶体管有效
| 申请号： | 201480081390.8 | 申请日： | 2014-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN106663696B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | U·E·阿维奇;R·里奥斯;K·J·库恩;I·A·扬;J·R·韦伯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/335 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种TFET，包括：纳米线，具有用于形成源极区域和漏极区域的掺杂区域和用于耦合到栅极区域的未掺杂区域；以及在纳米线之上形成的第一终止材料；以及在纳米线的一部分之上形成的第二终止材料，所述第二终止材料与栅极区域和源极区域重叠。描述了另一种TFET，包括：纳米线的第一部分，具有用于形成源极区域和漏极区域的掺杂区域和用于耦合到栅极区域的未掺杂区域；纳米线的第二部分，所述纳米线的第二部分正交于所述第一部分延伸，所述第二部分被形成为邻近栅极区域和源极区域；以及在所述纳米线的所述第一部分和所述第二部分之上形成的终止材料。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 具有 表面 终止 纳米 线形 缩放 tfet 晶体管 | ||
【主权项】：
一种TFET，包括：纳米线，所述纳米线具有用于形成源极区域和漏极区域的掺杂区域和用于耦合到栅极区域的未掺杂区域；以及第一终止材料，所述第一终止材料形成于所述纳米线之上；以及第二终止材料，所述第二终止材料形成于所述纳米线的一部分之上，所述第二终止材料与所述栅极区域和所述源极区域重叠。
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