[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201480066869.4 | 申请日: | 2014-08-28 |
公开(公告)号: | CN105814481B | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | 内田诚一 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;G02F1/1343;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/786 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;池兵 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 半导体装置(101)包括排列成具有行方向和列方向的矩阵状的多个像素区域(Pix),多个像素区域(Pix)各自包括:薄膜晶体管(10),其具有栅极电极(2)、覆盖栅极电极的栅极绝缘层(5)、在栅极绝缘层上形成的氧化物半导体层(7A)、以及与氧化物半导体层电连接的源极电极(9s)和漏极电极(9d);与氧化物半导体层由同一氧化物膜形成的金属氧化物层(7B);覆盖薄膜晶体管和金属氧化物层的层间绝缘层(13);和设置在层间绝缘层上,并且与漏极电极电连接的像素电极(15),金属氧化物层(7B)包括导电体区域(70c),像素电极(15)隔着层间绝缘层(13)与导电体区域(70c)的至少一部分重叠。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其包括:基板;在所述基板上排列成具有行方向和列方向的矩阵状的多个像素区域;各自与所述行方向大致平行地延伸设置的多个栅极线;和各自与所述列方向大致平行地延伸设置的多个源极线,该半导体装置的特征在于:所述多个像素区域各自具有:薄膜晶体管,该薄膜晶体管被支承于所述基板,具有栅极电极、覆盖所述栅极电极的栅极绝缘层、在所述栅极绝缘层上形成的氧化物半导体层以及与所述氧化物半导体层电连接的源极电极和漏极电极;与所述氧化物半导体层由同一氧化物膜形成的金属氧化物层;覆盖所述薄膜晶体管和所述金属氧化物层的层间绝缘层;和设置在所述层间绝缘层上,并且与所述漏极电极电连接的像素电极,所述金属氧化物层包括导电体区域,所述像素电极隔着所述层间绝缘层与所述导电体区域的至少一部分重叠,所述多个像素区域具有第一像素区域和与所述第一像素区域在所述列方向上相邻的第二像素区域,所述第一像素区域和所述第二像素区域中的所述金属氧化物层的所述导电体区域彼此电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社,未经夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480066869.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 有源矩阵基板及其制造方法-201580036053.1
- 木本英伸;樽井哲弥;濑口佳宏;杉本刚久 - 夏普株式会社
- 2015-06-24 - 2019-11-08 - G02F1/1368
- FFS模式的液晶面板的有源矩阵基板具备数据线(24),数据线(24)包含非晶Si膜(122)、n+非晶Si膜(123)、主导体部(133)以及IZO膜(141)。在光致抗蚀剂(142)的覆盖区域内的靠近端的部分对主导体部(133)和IZO膜(141)进行蚀刻,而使n+非晶Si膜(123)形成得比主导体部(133)和IZO膜(141)大。使源极层用的光掩模的图案比像素电极层用的光掩模的图案大,而使非晶Si膜(122)形成得比n+非晶Si膜(123)大。由钼系材料形成主导体部(133),在数据线(24)的上层形成在一方产生压缩应力而在另一方产生拉伸应力的2层保护绝缘膜。由此,提供具有共用电极的高合格率的有源矩阵基板。
- 有源矩阵基板、液晶面板以及有源矩阵基板的制造方法-201580042565.9
- 河村武彦;樽井哲弥;木本英伸 - 夏普株式会社
- 2015-06-24 - 2019-08-27 - G02F1/1368
- FFS模式的液晶面板的有源矩阵基板在转接区域内具备多个转接单元,以将共用电极、第1共用干配线(31)以及第2共用干配线(32)电连接。转接单元包含:接触孔(41),其将与共用电极形成为一体的转接电极(37)和第1共用干配线(31)连接;以及接触孔(42),其将转接电极(37)和第2共用干配线(32)连接。第2共用干配线(32)的非晶Si膜(122)在接触孔(41)的位置形成得比第2共用干配线(32)的主导体部(131)大,由作为保护绝缘膜的SiNx膜(151、152)覆盖。由此,防止转接电极在共用干配线的图案端部断开。
- 显示装置-201780079434.7
- 山崎舜平;高桥圭 - 株式会社半导体能源研究所
- 2017-12-27 - 2019-08-06 - G02F1/1368
- 实现一种适合于大型化的显示装置,并且提供高分辨率的显示装置。在显示装置中,对相邻的三个以上的栅极线供应相同的选择信号。在列方向上相邻的三个以上的像素连接于不同的源极线。在各像素中,配置包括半导体层的晶体管。另外,以与被用作像素电极的导电层重叠的方式设置三个以上的源极线中的位于内侧的源极线。在位于外侧的源极线和与该外侧的源极线相邻的源极线之间设置有晶体管的半导体层的一部分。
- 显示装置、显示模块及电子设备-201780070861.9
- 山崎舜平;岛行德;冈崎健一;高濑奈津子 - 株式会社半导体能源研究所
- 2017-11-16 - 2019-07-02 - G02F1/1368
- 提供一种开口率高的液晶显示装置。提供一种功耗低的液晶显示装置。本发明的一个方式是具有显示部及驱动电路部的显示装置。显示部包括液晶元件、第一晶体管、扫描线及信号线。驱动电路部包括第二晶体管。液晶元件包括像素电极、液晶层及公共电极。扫描线及信号线分别与第一晶体管电连接。扫描线及信号线分别包括金属层。第一晶体管的结构与第二晶体管的结构不同。第一晶体管与像素电极电连接。第一晶体管具有与像素电极连接的第一区域。像素电极、公共电极及第一区域具有透射可见光的功能。可见光穿过第一区域及液晶元件射出到显示装置的外部。
- 常黑型的液晶显示面板和常黑型的液晶显示面板的制造方法-201780068367.9
- 米林谅;西山隆之;田中耕平;横野示宽 - 夏普株式会社
- 2017-11-02 - 2019-06-21 - G02F1/1368
- 提供一种生产性高的常黑型的液晶显示面板。在与遮光层(5)接触的像素(3)中,为了使被遮光层(5)覆盖的面积最大的蓝色图像元素(2B)的遮光部分的面积与红色图像元素(2R)和绿色图像元素(2G)各自的遮光部分的面积之差变小,在红色图像元素(2R)和绿色图像元素(2G)中分别将图像元素电极(4)截断。
- 液晶显示装置和投影型显示装置-201780062196.9
- 名仓护益 - 索尼半导体解决方案公司
- 2017-08-24 - 2019-05-24 - G02F1/1368
- 一种液晶显示装置,设置有:具有光屏蔽特性的扫描线;被设置为面对扫描线并具有源区和漏区以及源区和漏区之间的沟道区的半导体膜;面对半导体膜的沟道区的栅电极;覆盖栅电极的第一层间绝缘膜;以及穿透第一层间绝缘膜电连接栅电极和扫描线,并直立于半导体膜的沟道区和半导体膜的源区和漏区侧的遮光壁。
- 液晶显示面板及其制造方法-201580019855.1
- 高丸泰;金子诚二;齐藤贵翁;神崎庸辅;井手启介;松木园广志 - 夏普株式会社
- 2015-04-09 - 2019-05-07 - G02F1/1368
- 液晶显示面板的TFT基板(100A)具有:覆盖TFT的有机层间绝缘层(24);在有机层间绝缘层(24)的表面的第一区域形成的第一透明导电层(25);和覆盖第一透明导电层(25),并且形成在有机层间绝缘层(24)的表面的与第一区域不同的第二区域的含有SiN的无机电介质层(26),有机层间绝缘层(24)的表面的第一区域和第二区域的算术平均粗糙度Ra为3.45nm以上5.20nm以下。
- TFT及制作方法、阵列基板、显示面板及驱动方法、显示装置-201610177105.3
- 张斌;董殿正;张衎;陈鹏名 - 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
- 2016-03-25 - 2019-05-03 - G02F1/1368
- 本发明公开一种TFT及制作方法、阵列基板、显示面板及驱动方法、显示装置,涉及显示技术领域,为解决显示装置整体功耗大的问题。所述TFT包括衬底基板,在衬底基板上依次层叠设有第一栅极、底层栅极介电层和绝缘层,在绝缘层上设有源极和漏极,在源极、漏极和绝缘层上依次层叠设有顶层栅极介电层、第二栅极和钝化层;第一栅极或第二栅极为光敏材料栅极。本发明提供的TFT、显示面板应用于显示装置中。
- 带触摸面板的显示装置-201780038901.1
- 冨永真克;原义仁;吉田昌弘 - 夏普株式会社
- 2017-07-04 - 2019-03-01 - G02F1/1368
- 带触摸面板的显示装置具有有源矩阵基板(1)、对向基板、设于有源矩阵基板(1)与对向基板之间的液晶层,在有源矩阵基板(1)侧具有触摸面。有源矩阵基板(1)具有基板(100),且在基板(100)的液晶层侧具有多个像素电极(25)、公共电极(26)、检测对于触摸面的接触的多个触摸检测用电极(23)、分别与多个触摸检测用电极(23)连接的多条信号线(24)。多个像素电极(25)、公共电极(26)和多个触摸检测用电极(23)配置为在俯视下重叠,多个触摸检测用电极(23)设于比多个像素电极(25)及公共电极(26)更靠近基板(100)的位置。
- 半导体装置、显示装置和半导体装置的制造方法-201480044668.4
- 加藤纯男;上田直树 - 夏普株式会社
- 2014-07-24 - 2019-02-19 - G02F1/1368
- 半导体装置(100A)包括:具有栅极电极(12g)的第一金属层(12);在第一金属层上形成的栅极绝缘层(14);在栅极绝缘层上形成的氧化物半导体层(16);在氧化物半导体层上形成的第二金属层(18);在第二金属层上形成的层间绝缘层(22);和具有透明导电层(Tc)的透明电极层(TE),氧化物半导体层具有第一部分(16a)和横穿栅极电极的边缘地延长的第二部分(16b),第二金属层具有源极电极(18s)和漏极电极(18d),层间绝缘层不包含有机绝缘层,层间绝缘层具有以与第二部分以及漏极电极的靠近第二部分的一侧的端部重叠的方式形成的接触孔(22a),透明导电层(Tc)在接触孔内与漏极电极的端部和氧化物半导体层的第二部分接触。
- 显示装置以及电子设备-201480018108.1
- 中田昌孝;森英典;大谷久 - 株式会社半导体能源研究所
- 2014-03-18 - 2019-01-29 - G02F1/1368
- 提供了一种能够实现良好的反射显示的新颖显示装置。该显示装置包括:晶体管,其包括栅电极层、该栅电极层上的栅极绝缘层、该栅极绝缘层上的半导体层、和在该栅极绝缘层及半导体层上的源电极层及漏电极层;与该源电极层及该漏电极层同一平面上的反射电极层;与该反射电极层重叠的着色层;与该着色层重叠的像素电极层;以及连接到该源电极层和该漏电极层中的一个的抗氧化导电层。该像素电极层通过该抗氧化导电层连接到该晶体管。
- 液晶面板及其使用的有源矩阵基板-201480065932.2
- 伊东一笃;宫本忠芳;内田诚一 - 夏普株式会社
- 2014-11-28 - 2019-01-01 - G02F1/1368
- 本发明的液晶面板(100)包括:一对基板(10、30);保持在一对基板间的液晶层(40);和以包围液晶层的方式设置的密封件(42),多个像素(P1、P2)在由密封件包围的区域中形成为矩阵状,多个像素分别包括:设置于一个基板(10)的氧化物半导体TFT(5);和与设置于一个基板的氧化物半导体TFT连接的像素电极(19),在氧化物半导体TFT从导通状态切换为截止状态时,使用像素电极施加于液晶层的电压,向负方向电平位移馈通电压(ΔVd)的量,多个像素中的第一像素(P1)的馈通电压(ΔVd1)小于与第一像素相比位于离密封件更远的位置的第二像素(P2)的馈通电压(ΔVd2)。
- 液晶显示元件-201480060121.3
- 小川真治;长谷部浩史;高岛正直;岩下芳典 - DIC株式会社
- 2014-10-29 - 2018-12-28 - G02F1/1368
- 本发明所要解决的课题在于提供一种使用介电常数各向异性为负的液晶组合物的液晶显示元件,该液晶组合物能够在不使介电常数各向异性、粘度、向列相上限温度、低温时的向列相稳定性、γ1等作为液晶显示元件的各特性及显示元件的烧屏特性恶化的情况下通过用于FFS模式的液晶显示元件而实现优异的显示特性。本发明提供一种液晶显示元件,其含有选自下述通式(I)所表示的化合物组中的至少一种化合物,[化1]式中,R1及R2各自独立地表示碳原子数1~8的烷基、碳原子数2~8的烯基、碳原子数1~8的烷氧基或碳原子数2~8的烯氧基,A表示1,4‑亚苯基或反式‑1,4‑亚环己基,k表示1或2,当k为2时,两个A可以相同也可以不同。
- 液晶显示元件-201480060122.8
- 小川真治;岩下芳典;长谷部浩史;高岛正直 - DIC株式会社
- 2014-10-29 - 2018-12-28 - G02F1/1368
- 本发明所要解决的课题在于提供一种使用介电常数各向异性为负的液晶组合物的液晶显示元件,该液晶组合物能够在不使介电常数各向异性、粘度、向列相上限温度、低温时的向列相稳定性、γ1等作为液晶显示元件的各特性及显示元件的烧屏特性恶化的情况下通过用于具备光取向膜的液晶显示元件而实现优异的显示特性。解决方法为,本发明提供一种液晶显示元件,其使用含有选自下述通式(I)所表示的化合物组中的至少一种化合物的液晶组合物。[化1]
- 阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置-201610007188.1
- 梁魁 - 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
- 2016-01-06 - 2018-11-30 - G02F1/1368
- 本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。所述阵列基板的制备方法包括:形成栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极层的图形;在所述源漏极层的表面,形成一层透明电极层;通过刻蚀工艺,根据所述源漏极层形成源极和漏极的图形,以及,根据所述透明电极层,形成像素电极的图形;所述像素电极与所述漏极直接接触。上述阵列基板的制备方法,像素电极和TFT结构的漏极直接搭接在一起,不需要在绝缘层中形成过孔,这样一方面省去了一道光刻工序,从而降低物料成本,提高生产效率;另一方面,可以提高产品良率。此外,还可以改善阵列基板表面图形的平整度,避免在后续的取向膜制备工艺中,降低取向不良发生的概率,最终提高显示效果。
- 用于TFT-LCD显示面板的电性测试装置及其电性测试方法-201610140055.1
- 孟林 - 武汉华星光电技术有限公司
- 2016-03-11 - 2018-11-23 - G02F1/1368
- 本发明提供一种用于TFT‑LCD显示面板的电性测试装置,其包括探针和步进组件,步进组件与该探针连接,用于驱动该探针以预设步进量进行步进伸缩,使得该探针穿过该TFT‑LCD显示面板的绝缘膜,以对设于该绝缘膜下的导电体进行测试。本发明可任意设置步进量,使调节灵活方便,提高电性测试装置的穿膜的移动精度,避免过力压损导电体或接触不到导电体进行电性测试,提高测试的质量。
- Z反转类型显示装置和制造该Z反转类型显示装置的方法-201510217541.4
- 林东根;辛基泽;赵哲熙;姜芝源 - 乐金显示有限公司
- 2015-04-30 - 2018-11-23 - G02F1/1368
- 本发明提供了一种Z反转类型显示装置和制造该Z反转类型显示装置的方法,该Z反转类型显示装置包括:选通线和数据线,其彼此交叉以在基板上限定像素区域;晶体管,其包括栅极、源极和漏极,其中,所述漏极与所述选通线在平面图中完全交叠;以及像素电极,其形成在所述像素区域中,并且电连接到所述晶体管的漏极;其中,所述晶体管的漏极具有包括水平腿和垂直腿的“T”形,其中,所述“T”形的漏极的水平腿挨着所述源极布置并且与所述源极平行地延伸,并且其中,所述“T”形的漏极的垂直腿远离所述源极从所述水平腿突出,其中,所述像素电极通过接触孔电连接到所述晶体管的漏极。
- 半导体装置及其制造方法-201480066869.4
- 内田诚一 - 夏普株式会社
- 2014-08-28 - 2018-09-18 - G02F1/1368
- 半导体装置(101)包括排列成具有行方向和列方向的矩阵状的多个像素区域(Pix),多个像素区域(Pix)各自包括:薄膜晶体管(10),其具有栅极电极(2)、覆盖栅极电极的栅极绝缘层(5)、在栅极绝缘层上形成的氧化物半导体层(7A)、以及与氧化物半导体层电连接的源极电极(9s)和漏极电极(9d);与氧化物半导体层由同一氧化物膜形成的金属氧化物层(7B);覆盖薄膜晶体管和金属氧化物层的层间绝缘层(13);和设置在层间绝缘层上,并且与漏极电极电连接的像素电极(15),金属氧化物层(7B)包括导电体区域(70c),像素电极(15)隔着层间绝缘层(13)与导电体区域(70c)的至少一部分重叠。
- 具有硅薄膜晶体管和半导体氧化物薄膜晶体管的显示器-201480042830.9
- 张世昌;洪铭钦;余承和;常鼎国;A·嘉姆史迪罗德巴里;林上智;金景旭;黄俊尧;李思贤;陈右铮;大泽裕史;朴英培;V·古普塔;林敬伟;崔宰源;蔡宗廷 - 苹果公司
- 2014-08-11 - 2018-09-07 - G02F1/1368
- 本发明公开了一种电子设备,该电子设备可包括具有位于基板上的显示器像素阵列的显示器。显示器像素可以是有机发光二极管显示器像素或液晶显示器中的显示器像素。在有机发光二极管显示器中,可形成包括半导体氧化物薄膜晶体管、硅薄膜晶体管和电容器结构的混合薄膜晶体管结构。电容器结构可与半导体氧化物薄膜晶体管重叠。有机发光二极管显示器像素可具有氧化物和硅晶体管的组合。在液晶显示器中,显示驱动器电路可包括硅薄膜晶体管电路,并且显示器像素可基于氧化物薄膜晶体管。在形成硅晶体管栅极和氧化物晶体管栅极的过程中可使用单个栅极金属层或两个不同的栅极金属层。硅晶体管可具有与浮栅结构重叠的栅极。
- 一种栅极驱动组件、液晶显示器和电子设备-201721755550.X
- 郝静;宋星星;王文杰;吴鑫 - 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
- 2017-12-15 - 2018-08-28 - G02F1/1368
- 本实用新型提供了一种栅极驱动组件、液晶显示器和电子设备,其中所述栅极驱动组件包括基板,以及设置在所述基板上的栅极层、半导体层和源极层,以及至少通过所述栅极层和源极层的之间连接形成的作为输出单元的第三晶体管和作为输出清零单元的第四晶体管,并且所述第三晶体管以及所述第四晶体管以沟道相向的方式形成在所述基板上,并且所述第三晶体管形成在所述基板的第一侧上,所述第四晶体管形成在所述基板的第二侧上,所述第一侧和第二侧之间形成有镂空的间隔。本实用新型有效提高了栅极驱动组件的良品率。
- 液晶面板及显示装置-201510730746.2
- 姜佳丽 - 深圳市华星光电技术有限公司
- 2015-11-02 - 2018-08-21 - G02F1/1368
- 本发明公开了一种液晶面板及显示装置,属于显示技术领域,解决了现有的高分辨率的液晶显示器存在薄膜晶体管的充电时间不足的技术问题。该液晶面板包括上基板和下基板;所述上基板上设置有一部分像素单元的薄膜晶体管;所述下基板上设置有另一部分像素单元的薄膜晶体管。本发明可用于高分辨率的液晶显示装置。
- 一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板-201780003985.5
- 梁艳峰 - 华为技术有限公司
- 2017-02-17 - 2018-07-27 - G02F1/1368
- 一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板,涉及显示技术领域,相对现有技术不会有漏电途径产生,从而可以提高显示均匀性。一种阵列基板,包括多个子像素(10),每个子像素(10)均包括设置于衬底上的第一薄膜晶体管(30)、像素电极(40)和公共电极(50);像素电极(40)与所述第一薄膜晶体管(30)的漏极(301)通过过孔(60)电连接;每个子像素(10)还包括设置于过孔(60)处的辅助电极(70),辅助电极(70)设置于像素电极(40)与第一薄膜晶体管(30)的漏极(301)之间,像素电极(40)通过辅助电极(70)与第一薄膜晶体管(30)的漏极(301)电连接;其中,公共电极(50)设置于像素电极(40)远离衬底(20)一侧;在过孔(60)处,公共电极(50)在衬底(20)上的正投影与像素电极(40)在衬底(20)上的正投影无交叠。
- 液晶显示器-201810149966.X
- 金性勋;廉周锡;柳圭完;催精洙 - 三星显示有限公司
- 2012-09-21 - 2018-07-24 - G02F1/1368
- 本发明提供了一种液晶显示器,在所述液晶显示器中,直接设置在共电极上或者直接设置在共电极下方的共电压线直接接触共电极,从而可以减小共电压线的信号延迟,并且同时可以防止液晶显示器的开口率减小。
- 半导体装置和显示装置-201380048277.5
- 冈部达;锦博彦;原猛;纪藤贤一;越智久雄 - 夏普株式会社
- 2013-09-13 - 2018-06-15 - G02F1/1368
- 阵列基板(半导体装置)(11b)具备:配置于显示部(AA)的显示部用TFT(显示部用晶体管)(17);配置于非显示部(NAA)的非显示部用TFT(非显示部用晶体管)(29);配置于非显示部(NAA)并由第二层间绝缘膜(41)形成的上层侧绝缘部(31);和配置于非显示部(NAA)并由第一层间绝缘膜(39)形成且层叠于上层侧绝缘部(31)的下层侧的下层侧绝缘部(30)。 1
- 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置-201510197509.4
- 黄明;刘增利;王玉亮;彭俊林;杨磊;聂坤坤;袁帅;周传鹏 - 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
- 2015-04-23 - 2018-04-17 - G02F1/1368
- 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置,用以避免外界水汽进入阵列基板内,提高显示面板的信赖性。所述阵列基板包括设置在衬底基板上的栅极绝缘层、第一钝化层、有机膜层和第二钝化层,其中,所述第二钝化层设置有镂空区域,所述镂空区域与用于贴合封框胶的区域对应。
- 液晶显示装置-201680028329.6
- 土屋博司;水崎真伸 - 夏普株式会社
- 2016-05-23 - 2018-04-17 - G02F1/1368
- 本发明提供可以长时间维持良好的电压保持率,防止可靠性下降的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置包括对向配置的一对基板、配置于所述一对基板间的液晶层、配置于所述一对基板的至少一个与所述液晶层之间的配向膜,所述一对基板的至少一个具有含有铜或者铝的电极和/或布线,所述液晶层为含有液晶成分以及具有包括由规定化学式所表示的苯并三唑基的化学构造的添加成分的液晶层。
- 一种曲面液晶显示面板的TFT组件-201710839247.6
- 白航空 - 合肥惠科金扬科技有限公司
- 2017-09-18 - 2018-03-09 - G02F1/1368
- 本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种曲面液晶显示面板的TFT组件。包括设于缓冲层上的栅极、覆盖栅极和缓冲层的栅极绝缘层、设于栅极绝缘层上的有源层、设于栅极绝缘层上的分别与有源层的两端接触的源极和漏极。本发明的一种曲面液晶显示面板的TFT组件及其加工方法,通过前处理以及后续处理使TFT组件的光学性能得到显著提升。
- 双面显示器、显示模组及其TFT阵列基板-201610311100.5
- 樊勇 - 深圳市华星光电技术有限公司
- 2016-05-11 - 2018-03-09 - G02F1/1368
- 本发明提供了一种双面显示器、显示模组及其TFT阵列基板,该TFT阵列基板包括相对设置的两个石墨烯显示单元以及设于两个石墨烯显示单元之间的反射层。相对于现有技术,本发明提供的双面显示器、显示模组及其TFT阵列基板,通过在反射层的两侧分别设置石墨烯显示单元,使反射层两面的光不会相互干扰,同时由于反射层的反光,提升了两片显示单元的亮度;该双面显示器的结构更加简单,同时体积大大减小,有利于双面显示器的轻薄化;另外,采用氧化石墨烯作为发光层以及电极层材料,还可以根据基板材质的不同,使制作柔性双面显示器成为可能。
- 半导体装置-201380041283.8
- 山崎舜平;三宅博之;宍户英明;小山润;松林大介;村山佳右 - 株式会社半导体能源研究所
- 2013-07-24 - 2018-02-06 - G02F1/1368
- 提供不降低开口率且具有电荷容量增大的电容器的半导体装置。该半导体装置包括具有透光性半导体膜的晶体管、介电膜设置在一对电极之间的电容器、设置在透光性半导体膜上的绝缘膜、以及设置在绝缘膜上的透光性导电膜。在电容器中,至少包含铟(In)或锌(Zn)且形成在与晶体管的透光性半导体膜同一表面上的金属氧化物膜用作一个电极,透光性导电膜用作另一个电极,并且,设置在透光性半导体膜上的绝缘膜用作介电膜。
- 有源矩阵基板、液晶面板以及有源矩阵基板的制造方法-201680031955.0
- 吉田昌弘;冨永真克;古川智朗;森永润一 - 夏普株式会社
- 2016-05-27 - 2018-01-19 - G02F1/1368
- TFT(21)的漏极电极(25)同与栅极线(23)一体形成的栅极电极重叠。像素电极(22)具有形成于栅极线(23)的第一侧的主体部;和沿数据线(24)的延伸方向延伸并覆盖栅极电极与漏极电极(25)的重叠部分的扩张部。漏极电极(25)未形成于栅极线(23)的第二侧,而像素电极(22)的扩张部也形成于栅极线(23)的第二侧。在像素电极(22)的位置沿数据线(24)的延伸方向偏移的情况下,像素电极(22)的扩张部与栅极线(23)重叠的部分的面积也不会变化,因此能够将TFT(21)的漏极‑源极间的寄生电容保持为恒定。由此,防止由TFT(21)的栅极‑漏极间的寄生电容的偏差而引起的显示质量的降低。
- 专利分类