[发明专利]等离子体辅助的金属有机物化学气相沉积设备及方法

摘要

一种等离子体辅助的金属有机物化学气相沉积（MOCVD）设备，包括：反应腔、喷淋装置、衬底载片台、基座、加热装置，其特征在于在金属有机物化学气相沉积设备反应腔相对的两侧腔壁增设等离子反应室，通过调控磁铁分布调节磁场以形成平行于衬底表面、且均匀分布的等离子体，用该设备可以调节和控制半导体异质外延薄膜的生长模式。本发明利用等离子体对衬底表面化学反应模式进行调节，同时赋予五族氢化物额外能量，降低了原材料在沉积过程的反应温度，减少了热膨胀系数差异造成的缺陷，提高了衬底上失配异质外延晶体的质量，对样品无污染，而且成品率高，可应用在大规模生产中。

主权项

一种等离子体辅助的金属有机物化学气相沉积设备，包括：反应腔、喷淋装置、衬底载片台、基座、加热装置、真空系统，其特征在于包括能够形成平行于衬底表面、且均匀分布的等离子体的等离子反应室5，所述等离子反应室5通过内嵌密封双O圈13的门阀4与所述反应腔1的相对两侧腔壁密封连接。