[发明专利]鳍式场效应晶体管及其鳍的制造方法有效
| 申请号： | 201410789728.7 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105762071B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 李春龙;闫江;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;吴兰柱 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种鳍的制造方法，包括：提供半导体衬底；刻蚀半导体衬底以形成鳍；至少进行一次氧化去除工艺，氧化去除工艺包括：进行氧化工艺，以形成氧化层；去除氧化层。本发明在刻蚀衬底形成鳍后，进行氧化和去除工艺，以缩小鳍的关键尺寸，同时改善鳍的线条的粗糙度，提高器件的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；刻蚀半导体衬底以形成鳍，包括：在衬底上依次形成第一硬掩膜和非晶硅层，所述第一硬掩膜的厚度范围为![]()
所述非晶硅层的厚度范围为![]()
图案化非晶硅层；以非晶硅层为掩蔽，图案化第一硬掩膜，并去除非晶硅层；以第一硬掩膜为掩蔽，刻蚀衬底以形成鳍，并去除第一硬掩膜；图案化非晶硅层的步骤包括：在非晶硅层上形成光刻胶层；以光刻胶层为掩蔽，图案化非晶硅层，同时，调整侧向刻蚀能力，以对光刻胶层和非晶硅层进行侧向微缩；去除光刻胶层；至少进行一次氧化去除工艺，氧化去除工艺包括：进行氧化工艺，以形成氧化层；去除氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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