[发明专利]一种沟槽功率MOSFET器件及其制作方法和静电保护结构在审
| 申请号： | 201410763514.2 | 申请日： | 2014-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN104465628A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 丁磊;殷允超 | 申请（专利权）人： | 张家港凯思半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/02;H01L27/04;H01L21/77 |
| 代理公司： | 张家港市高松专利事务所(普通合伙) 32209 | 代理人： | 陈晓岷 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽功率MOSFET器件的静电保护结构，所述沟槽功率MOSFET器件的有源区外围的栅极引出端设置区域中，其中一部分区域设置了栅极引出端，另一部分区域设置了若干个静电保护引出端，该静电保护引出端包括至少一对PN结，PN结两端分别与沟槽功率MOSFET器件的源极和栅极连接。另外本发明还公开了带上述静电保护结构的功率MOSFET器件以及制作方法，该静电保护结构无需在沟槽功率MOSFET器件上额外规划出ESD区域，节省了沟槽功率MOSFET器件的面积，降低了成本，制作方法流程简单，节省光刻次数，降低成本，ESD能力可灵活调节。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 功率 mosfet 器件 及其 制作方法 静电 保护 结构 | ||
【主权项】：
一种沟槽功率MOSFET器件的静电保护结构，其特征在于：所述沟槽功率MOSFET器件的有源区外围的栅极引出端设置区域中，其中一部分区域设置了栅极引出端，另一部分区域设置了若干个静电保护引出端，该静电保护引出端包括至少一对PN结，PN结两端分别与沟槽功率MOSFET器件的源极和栅极连接。
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