[发明专利]一种纳米线器件的制作方法有效
| 申请号： | 201410572401.4 | 申请日： | 2014-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN105590856B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米线器件的制作方法。所述制作方法包括形成具有至少一个鳍片式结构的基底，其中所述基底包括半导体衬底以及所述半导体衬底上的绝缘体，所述鳍片式结构包括所述绝缘体上的牺牲层以及所述牺牲层上的半导体层；在基底上形成图案化的伪栅极；在伪栅极的两侧形成第一间隔物；以伪栅极和第一间隔物作为掩模，去除未被遮挡的半导体层和牺牲层；刻蚀牺牲层以在牺牲层两侧形成凹陷；在牺牲层两侧形成第二间隔物，并暴露半导体层的两侧；在半导体层的两侧进行外延生长以形成源区和漏区。本发明在纳米线器件中形成平整的栅极，提高了纳米线器件的栅极特性，获得更优良的栅极控制能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米线器件的制作方法，其特征在于，包括：形成具有至少一个鳍片式结构的基底，其中所述基底包括半导体衬底以及所述半导体衬底上的绝缘体，所述鳍片式结构包括所述绝缘体上的牺牲层以及所述牺牲层上的半导体层；在所述基底上形成图案化的伪栅极；在所述伪栅极的两侧形成第一间隔物；以所述伪栅极和所述第一间隔物作为掩模，去除未被遮挡的半导体层和牺牲层；刻蚀所述牺牲层以在所述牺牲层两侧形成凹陷；在所述牺牲层两侧形成第二间隔物，并暴露所述半导体层的两侧；在所述半导体层的两侧进行外延生长以形成源区和漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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