[发明专利]控制衬底的直流偏置及离子能量和角分布的方法及设备有效
| 申请号： | 201410482629.4 | 申请日： | 2014-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN104465291B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 斯拉瓦纳普利安·斯利拉曼;亚历山大·帕特森 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及控制衬底的直流偏置及离子能量和角分布的方法及设备，具体而言，在通往偏置电极的射频(RF)功率传输路径内提供可变电容器，除阻抗匹配电路外，还有所述可变电容器也被提供在通往所述偏置电极的所述射频功率传输路径内。在脉冲模式中操作射频电源以通过所述射频功率传输路径发射射频功率脉冲到所述偏置电极。所述可变电容器的电容被设置用于在每个射频功率脉冲期间控制在所述偏置电极上方存在的衬底上形成直流偏置电压的速率。在所述衬底上形成所述直流偏置电压的速率控制暴露于从所述衬底发出的电磁场的等离子体内的离子能量分布和离子角分布。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 衬底 直流 偏置 离子 能量 角分布 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种用于在衬底的等离子体处理期间控制离子的方法，其包括：在通往偏置电极的射频功率传输路径内提供可变电容器，除阻抗匹配电路外，还有所述可变电容器也被提供在通往所述偏置电极的所述射频功率传输路径内；在脉冲模式中操作射频电源以通过所述射频功率传输路径发射射频功率脉冲到所述偏置电极，其中在脉冲模式中操作所述射频电源以发射射频功率脉冲包括：根据脉冲重复频率和占空比产生射频功率脉冲；并且设置所述可变电容器的电容，从而在每个射频功率脉冲期间控制在所述偏置电极上方存在的衬底上形成直流偏置电压的速率，由此在所述衬底上形成所述直流偏置电压的所述速率控制暴露于由所述衬底发出的电磁场的等离子体内的离子能量分布和离子角分布。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410482629.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
