[发明专利]蚀刻速率测试控片的制作方法与重复利用方法有效

专利信息
申请号: 201410419702.3 申请日: 2014-08-22
公开(公告)号: CN104155855B 公开(公告)日: 2017-12-15
发明(设计)人: 高冬子 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G03F7/42 分类号: G03F7/42;G03F7/20
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种蚀刻速率测试控片的制作方法与重复利用方法,该重复利用方法包括如下步骤步骤10、提供一已使用过的蚀刻速率测试控片;步骤20、将光阻层(4)全部去除;步骤30、在非金属膜(3)上涂布另一光阻层(4’),将曝光位置偏离所述已被蚀刻过的测试过孔(31)对该另一光阻层(4’)进行曝光;步骤40、测量未被所述另一光阻层(4’)覆盖的非金属膜(3)的厚度H1;步骤50、对未被另一光阻层(4’)覆盖的非金属膜(3)进行一定时间T的蚀刻,形成另一测试过孔(32);步骤60、蚀刻完成后,测量位于另一测试过孔(32)下方的非金属膜(3)的厚度H2;并根据非金属膜(3)的厚度H1与H2、及蚀刻时间T计算蚀刻速率V。
搜索关键词: 蚀刻 速率 测试 制作方法 重复 利用 方法
【主权项】:
一种蚀刻速率测试控片的重复利用方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤10、提供一已使用过的蚀刻速率测试控片;该已使用过的蚀刻速率测试控片包括玻璃基板(1)、位于玻璃基板(1)上的金属层图形(2)、位于金属层图形(2)与玻璃基板(1)上的非金属膜(3)、及位于非金属膜(3)上的光阻层(4);所述非金属膜(3)具有至少一个已被蚀刻过的测试过孔(31);步骤20、将所述光阻层(4)全部去除;步骤30、在所述非金属膜(3)上涂布另一光阻层(4’),将曝光位置偏离所述已被蚀刻过的测试过孔(31)对该另一光阻层(4’)进行曝光,将对应于非金属膜(3)欲形成另一测试过孔位置上的部分另一光阻层(4’)曝掉,露出非金属膜(3);步骤40、使用膜厚测量设备测量未被所述另一光阻层(4’)覆盖的非金属膜(3)的厚度H1;步骤50、对未被另一光阻层(4’)覆盖的非金属膜(3)进行一定时间T的蚀刻,形成另一测试过孔(32);所述另一测试过孔(32)偏离已被蚀刻过的测试过孔(31);步骤60、蚀刻完成后,使用膜厚测量设备测量位于另一测试过孔(32)下方的非金属膜(3)的厚度H2;并根据非金属膜(3)的厚度H1与H2、及蚀刻时间T计算蚀刻速率V。
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