[发明专利]一种改进衬底气流方向的HVPE反应器有效
申请号: | 201410382372.5 | 申请日: | 2014-08-06 |
公开(公告)号: | CN104120408A | 公开(公告)日: | 2014-10-29 |
发明(设计)人: | 许桢;金施耐;金东植 | 申请(专利权)人: | 上海世山科技有限公司;上海正帆科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/34 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 翁若莹 |
地址: | 201108 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种改进衬底气流方向的HVPE反应器,其特征在于,包括壳体,壳体的顶部设有主干,壳体内设有基板座,主干的一侧设有喷射管一、喷射管二,另一侧设有进气管二、进气管三;基板座上设有基板;基板座中心设有进气管一,进气管一的上下两端从基板座中露出,其中顶端设有喷射孔;基板座与壳体内壁之间的间隙形成排气口。本发明提供的反应器生产时,内部第一反应气体、第二反应气体分别从水平方向,垂直方向互相混合,可在大多数半导体基板上形成均匀的延伸结构的薄膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 改进 衬底 气流 方向 hvpe 反应器 | ||
【主权项】:
一种改进衬底气流方向的HVPE反应器,其特征在于,包括壳体(11),壳体(11)的顶部设有主干(7),壳体(11)内设有基板座(2),主干(7)的一侧设有喷射管一(8)、喷射管二(9),另一侧设有进气管二(4)、进气管三(5);基板座(2)上设有基板(S);基板座(2)中心设有进气管一(3),进气管一(3)的上下两端从基板座(2)中露出,其中顶端设有喷射孔(12);基板座(2)与壳体(11)内壁之间的间隙形成排气口(10)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的