[发明专利]鳍型场效应晶体管装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201410369450.8 | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104347714B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | B.J.奥布拉多维克;M.S.罗德;J.A.基特尔;R.C.鲍恩;R.M.哈彻 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种鳍型场效应晶体管(finFET)装置可以包括具有最佳深度的源/漏极接触凹陷，超过该最佳深度则在通过增大的深度提供的凹陷中的源/漏极接触的水平部分的扩展电阻值增加的减小量可以小于由于在增大的深度下源/漏极接触的垂直部分增大导致的总电阻增加的增大量。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍型场效应晶体管装置，包括:半导体鳍状物，在掺杂半导体源极区和掺杂半导体漏极区之间，其中所述掺杂半导体源极区和所述掺杂半导体漏极区中的一个包括接触所述半导体鳍状物的侧壁的垂直部分以及从所述垂直部分突出的水平部分，所述水平部分的一表面相对于所述垂直部分的一表面凹入从而限定凹陷；在所述掺杂半导体源极区和所述掺杂半导体漏极区中的所述一个上的金属接触，提供所述金属接触与所述掺杂半导体源极区和所述掺杂半导体漏极区中的所述一个的垂直界面和水平界面；垂直接触电阻值，由所述垂直界面的面积和所述垂直界面的电阻率限定；和相应于所述水平界面的扩展电阻值；其中所述凹陷具有被限于一点的深度，超过该点则相应于所述水平界面的所述扩展电阻值增加的减小量小于所述鳍型场效应晶体管的总电阻的增加的增大量。
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