[发明专利]半导体制造系统中的离子源清洁方法有效
| 申请号： | 201410367226.5 | 申请日： | 2009-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN104217981B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 约瑟·D·史威尼;莎拉德·N·叶达夫;欧利格·拜;罗伯·金姆;大卫·艾德瑞吉;丰琳;史蒂芬·E·毕夏普;W·卡尔·欧兰德;唐瀛 | 申请（专利权）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C14/48;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 齐杨 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体制造系统中的离子源清洁方法。本发明系关于藉由监测阴极偏压功率且取决于比较值采取校正动作而藉由利用能够生长/蚀刻在一离子植入系统之间接加热的阴极中的该阴极的温度及/或反应性清洗试剂来蚀刻或再生长该阴极以清洗一离子植入系统或其部件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 系统 中的 离子源 清洁 方法 | ||
【主权项】：
一种操作包含离子源室的离子植入系统的方法，所述离子源室包含长丝或阴极，所述方法包括：(a)在离子植入操作的过程中在所述离子源室中提供掺杂剂气体；(b)由于引入到所述离子源的所述掺杂剂气体，监控影响在所述离子植入系统的离子源中进行沉积或蚀刻的一种或多种状态；以及(c)作为对这种监控的响应，在所述离子源室中提供调整气体，并将所述离子源中的温度调整至足以引起沉积或蚀刻的温度，其中所述调整气体包括:(1)清洗气体，其包含气相反应性材料，所述清洗气体通过控制所述离子源室中的温度从而有效地蚀刻所述长丝或阴极上的沉积物；以及(2)氟化的处理气体，所述氟化的处理气体能够通过控制离子源室中的温度从而有效地再生长所述长丝或阴极，限制条件为，如果所述掺杂剂气体包括氟化的掺杂剂气体，所述氟化的掺杂剂气体与所述氟化的处理气体可相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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