[发明专利]半导体制造系统中的离子源清洁方法

权利要求书

1.一种操作包含离子源室的离子植入系统的方法，所述离子源室包含长丝或阴极，所述方法包括：

(a)在离子植入操作的过程中在所述离子源室中提供掺杂剂气体；

(b)由于引入到所述离子源的所述掺杂剂气体，监控影响在所述离子植入系统的离子源中进行沉积或蚀刻的一种或多种状态；以及(c)作为对这种监控的响应，在所述离子源室中提供调整气体，并将所述离子源中的温度调整至足以引起沉积或蚀刻的温度，其中所述调整气体包括:

(1)清洗气体，其包含气相反应性材料，所述清洗气体通过控制所述离子源室中的温度从而有效地蚀刻所述长丝或阴极上的沉积物；以及

(2)氟化的处理气体，所述氟化的处理气体能够通过控制离子源室中的温度从而有效地再生长所述长丝或阴极，限制条件为，如果所述掺杂剂气体包括氟化的掺杂剂气体，所述氟化的掺杂剂气体与所述氟化的处理气体可相同。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，温度调整至足以刻蚀所述长丝或阴极的温度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，温度调整至足以在所述长丝或阴极上沉积材料的温度。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述温度高于2000℃。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述温度低于2000℃。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂剂气体包括选自由BF₃、XeF₂、PH₃、AsH₃、PF₅、AsF₃、SiF₄、PF₃、AsF₅、H₂Se和GeF₄组成的组中的气体。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂剂气体包括用于硼、硅、砷、磷、硒、锑、铟或锗的掺杂剂气体源。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述调整气体包括选自由XeF2、XeF4、XeF6、GeF4、SiF4、BF3、AsF5、AsF3、PF5、PF3、F2、TaF3、TaF5、WF6、WF5、WF4、NF3、IF5、IF7、KrF2、SF6、C2F6、CF4、ClF3、N2F4、N2F2、N3F、NFH2、NH2F、BrF3、C3F8、C4F8、C5F8、CHF3、CH2F2、CH3F、COF2、HF、C2HF5、C2H2F4、C2H3F3、C2H4F2、C2H5F、C3F6和MoF6组成的组中的气体，其中该调整气体不同于所述掺杂剂气体。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述调整气体包括气体卤化物。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂剂气体包括含氟气体，所述调整气体包括含氢气体。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂剂气体和所述调整气体是作为一个气体混合物共同流向所述离子源。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述气体混合物选自由AsH3/AsF3、AsH3/AsF5、PH3/PF3、PH3/PF5、SiH4/SiF4、H2/Xe/SiF4、GeH4/GeF4、H2/Xe/GeF4、H2/GeF4、B2H6/BF3、H2/BF3、F2/BF3、CO2/F2、CO2/CF4、CO/F2、CO/CF4、COF2/F2、COF2/CH4、COF2/H2组成的组。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述气体混合物中的所述调整气体不包含As、P、Ge、B、Si或C。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述调整气体包括多种气体。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述调整气体选自由Xe/H2、Ar/H2、Ne/H2、Xe/NH3、Ar/Xe和Ar/Xe/H2组成的组。

16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂剂气体和所述调整气体包含PH₃和NF₃。