[发明专利]栅极的制作方法及存储器的制作方法

摘要

本申请提供了一种栅极的制作方法及存储器的制作方法。其中，栅极的制作方法包括由衬底的表面沿远离衬底的方向依次形成第一多晶硅层、具有沟槽的介质层以及第二多晶硅层，第二多晶硅层部分填充在沟槽中，与第一多晶硅层相连；在形成第二多晶硅层的步骤之前，该制作方法还包括去除沟槽中第一多晶硅层裸露表面上氧化物层的步骤。该制作方法通过去除多晶硅层裸露表面上氧化物层，去除了多晶硅层之间的氧化物界面，克服了现有栅极的制作过程中存在的多晶硅界面之间电阻不均匀的问题。通过使用本申请提供的栅极制作方法，所得半导体器件的稳定性等得到提高。

主权项

一种栅极的制作方法，包括由衬底的表面沿远离所述衬底的方向依次形成第一多晶硅层、具有沟槽的介质层以及第二多晶硅层，所述第二多晶硅层部分填充在所述沟槽中，与所述第一多晶硅层相连，其特征在于，在形成所述第二多晶硅层的步骤之前，所述制作方法还包括去除所述沟槽中第一多晶硅层裸露表面上的氧化物层的步骤；且去除所述氧化物层的步骤后还包括刻蚀表面后处理步骤，所述刻蚀表面后处理步骤包括：在去除了所述氧化物层的刻蚀表面上形成牺牲氧化物层；以及去除所述牺牲氧化物层。