[发明专利]用于初始化通道的3D半导体装置有效
| 申请号： | 201410342641.5 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN104751882B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 高在范 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体装置包括形成有预定数目个通道的多个层叠裸片。所述半导体装置还包括被配置成将未与层叠裸片电耦接的通道初始化的基底裸片。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 初始化 通道 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：多个层叠裸片，其被形成有预定数目个通道；以及基底裸片，其被配置成将未与所述层叠裸片电耦接的通道初始化，其中，所述基底裸片包括输出初始化控制单元，所述输出初始化控制单元被配置成基于加电信号和层叠信息而将未与所述层叠裸片电耦接的通道初始化。
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