[发明专利]一种功率器件的钝化层结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410283847.5 | 申请日： | 2014-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN105244326B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率器件的钝化层结构及其制造方法，具体包括在功率器件表面上生成的氧化硅层，以及在所述氧化硅层表面上生成的掺氧半绝缘多晶硅层。进一步该钝化结构层还包括在所述掺氧半绝缘多晶硅层表面上还有氮氧化硅层、氧化硅层、氮化硅层中的至少一层。本发明通过在功率器件表面上生成掺氧半绝缘多晶硅层之前生长了一层纯的氧化硅层作为过渡层，提高了半绝缘多晶硅层氧含量的分布均匀性，进一步减小了钝化结构层之间的界面缺陷，从而解决了现有技术中因功率器件的钝化结构中存在界面缺陷而影响功率器件可靠性的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 钝化 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率器件的钝化层结构，其特征在于，包括：在功率器件表面上生成的氧化硅层，以及在所述氧化硅层表面上生成的掺氧半绝缘多晶硅层，其中所述功率器件包括硅晶片和所述硅晶片上的栅极氧化硅层和源极金属层，还包括在所述栅极氧化硅层上形成的栅极多晶硅层，以及在所述栅极多晶硅层上形成的介质层；所述氧化硅层覆盖在所述介质层表面。
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