[发明专利]一种沟槽型VDMOS的沟槽结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201410268437.3 | 申请日： | 2014-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN105226082A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型VDMOS的沟槽结构及其制作方法，所述方法包括：在衬底上生成氧化层；在所述氧化层的表面进行光刻，形成沟槽窗口；在所述氧化层的上表面及沟槽窗口内制备一层氮化物，该氮化物在所述沟槽窗口内与氧化层贴合形成第一侧墙；在所述氮化物上制备一层氧化物，该氧化物在所述沟槽窗口内与氮化物贴合形成第二侧墙；依次将氧化物、氮化物及衬底进行刻蚀，保留第一侧墙和第二侧墙，形成沟槽。与现有技术相比，本发明通过在沟槽窗口内制备双侧墙，减小了沟槽宽度，降低了沟道电阻，不仅消除了光刻工艺能力对沟槽宽度的限制，而且具有减少器件制造成本、提高器件性能等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 vdmos 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型垂直双扩散场效应晶体管VDMOS的沟槽结构的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上生成氧化层；在所述氧化层的表面进行光刻，形成沟槽窗口；在所述氧化层的上表面及沟槽窗口内制备一层氮化物，该氮化物在所述沟槽窗口内与氧化层贴合形成第一侧墙；在所述氮化物上制备一层氧化物，该氧化物在所述沟槽窗口内与氮化物贴合形成第二侧墙；依次将氧化物、氮化物及衬底进行刻蚀，保留第一侧墙和第二侧墙，形成沟槽。
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