[发明专利]半导体芯片背面硅腐蚀的工艺方法

摘要

本发明涉及一种半导体芯片背面硅腐蚀的工艺方法，所述工艺方法包括以下步骤步骤一、半导体芯片提取；步骤二、半导体芯片的背面腐蚀；步骤三、半导体芯片去离子水清洗；步骤四、半导体芯片浸泡到双氧水和氟化铵溶液的混合水溶液；步骤五、半导体芯片去离子水清洗甩干。本发明既能保证芯片背面腐蚀质量，背面蒸发后无色差的工艺要求，操作简单，不需要增加价格昂贵的全自动设备。

主权项

一种半导体芯片背面硅腐蚀的工艺方法，其特征在于所述工艺方法包括以下步骤：步骤一、半导体芯片提取将半导体芯片移至腐蚀片架内，待腐蚀；步骤二、半导体芯片的背面腐蚀将装有半导体芯片的腐蚀片架放入到腐蚀机的硅腐蚀槽中，腐蚀时间为10‑60秒，腐蚀时芯片在转动，硅腐蚀液为硝酸：冰乙酸：40%浓度氢氟酸 = 3：2：1，腐蚀的温度控制在9‑10℃；步骤三、半导体芯片去离子水清洗待腐蚀结束后，将装有半导体芯片的腐蚀片架移至腐蚀机的冲水槽中，对半导体芯片进行冲水，冲水4次；步骤四、半导体芯片浸泡到双氧水和氟化铵溶液的混合水溶液经去离子水冲洗结束后，将装有半导体芯片的腐蚀片架移至泡酸槽中浸泡，泡酸槽内装有经过充分搅拌和混合的双氧水和氟化铵溶液的水溶液，具体配比是：双氧水：40%浓度氟化铵溶液：纯水=1：1：8，浸泡时间为5分钟；步骤五、半导体芯片去离子水清洗甩干待浸泡氟化铵腐蚀液结束后，将装有半导体芯片的腐蚀片架移至腐蚀柜中的冲水槽，冲水6‑7次，冲水结束后，将片架放到甩干机中甩干，甩干机在甩干过程中通90℃的纯氮，直至去除半导体芯片表面的水份。