[发明专利]电路结构及制造具有增强的接触通孔电性连接的方法有效
| 申请号： | 201410244402.6 | 申请日： | 2014-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN104218021B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | G·宁;X·胡;S·坦格拉朱;P·阿克曼 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及电路结构及制造具有增强的接触通孔电性连接的方法，其中，提供电路结构及制造例如在第一金属阶层与导电结构的接触面之间具有增强的电性连接的方法。实现电性连接增强是利用配置于接触面上方及与其电性连接的多个大小不同的接触通孔。所述大小不同的接触通孔包含配置于该接触面的中央区上方的至少一个中央区接触通孔，以及配置于该接触面的周围区上方的至少一个周围区接触通孔，其中，该至少一个中央区接触通孔大于该至少一个周围区接触通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 结构 制造 具有 增强 接触 通孔电性 连接 方法 | ||
【主权项】：
一种电路结构，包含：导电结构，包含凹下的接触面，其中，该凹下的接触面是在该凹下的接触面的中央区中凹下；以及多个接触通孔，小于该导电结构并与该导电结构的该凹下的接触面电性接触，该多个接触通孔包含至少一些大小不同的接触通孔，其中，至少一个中央区接触通孔配置于该凹下的接触面的该中央区上方以及至少一个周围区接触通孔配置于该凹下的接触面的周围区上方，该至少一个中央区接触通孔大于该至少一个周围区接触通孔。
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