[发明专利]一种半导体器件及电子装置在审
| 申请号： | 201410242793.8 | 申请日： | 2014-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN105329837A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 张先明;伏广才 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;G01L9/12;G01L19/04 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及电子装置，所述半导体器件包括：基底；位于所述基底上的层间介电层；位于所述层间介电层内的压力传感器底部电极；位于所述底部电极上方的压力传感器空腔；位于所述压力传感器空腔上方并覆盖部分所述层间介电层的感应膜；位于所述层间介电层和所述感应膜上方的覆盖层，其中所述覆盖层中还形成有开口，暴露部分所述感应膜；至少位于所述开口底部并覆盖于所述感应膜之上的高热膨胀系数材料层。本发明的优点在于：通过在敏感电容的感应膜表面上覆盖一层高热膨胀系数的材料，可减少环境温度变化引起的敏感电容的变化，同时敏感电容基本结构没有变化，而且对压力的敏感性也不会受到影响，进而提高了器件的可靠性和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：基底；位于所述基底上的层间介电层；位于所述层间介电层内的压力传感器底部电极；位于所述底部电极上方的压力传感器空腔；位于所述压力传感器空腔上方并覆盖部分所述层间介电层的感应膜；位于所述层间介电层和所述感应膜上方的覆盖层，其中所述覆盖层中还形成有开口，暴露部分所述感应膜；至少位于所述开口底部并覆盖于所述感应膜之上的高热膨胀系数材料层。
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