[发明专利]一种改善栅氧厚度均匀性的方法有效
| 申请号： | 201410239131.5 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105225934B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 沈建飞;范建国 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善栅氧厚度均匀性的方法，该方法在石英管装置中进行，包括步骤通入一定流量比例的氘气和氧气至所述石英管，并进行点火使所述氘气和氧气反应生成D2O，该D2O与所述石英管管壁上的Si‑O‑悬挂键中和形成Si‑O‑D，从而避免石英管管壁上的Si‑O‑悬挂键影响栅氧生长厚度的均匀性。本发明往石英管中通入的氘气D2与氧气点火反应生成的D2O可以有效地中和石英管壁Si‑O悬挂键，形成Si‑O‑D结构。由于氘的化学反应速度比同位素氢低，因此形成的Si‑O‑D结构可以稳定的存在于石英管中。在后续栅极制程的DCE氧化过程中可以避免打破HCl的化学平衡，从而减少Cl‑的激活，使栅氧氧化工艺中栅氧生成的厚度更加均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 厚度 均匀 方法 | ||
【主权项】：
一种改善栅氧厚度均匀性的方法，该方法在石英管装置中进行，其特征在于，所述改善栅氧厚度均匀性的方法至少包括步骤：通入一定流量比例的氘气和氧气至所述石英管中，并进行点火使所述氘气和氧气反应生成D2O，该D2O与所述石英管管壁上的Si‑O‑悬挂键中和形成Si‑O‑D，使之不会打破栅氧生长时的化学平衡，减少Cl‑的生成浓度，从而避免石英管管壁上的Si‑O‑悬挂键影响栅氧生长厚度的均匀性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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