[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201410230793.6 | 申请日： | 2014-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN105336687B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336;H01L27/092;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底，所述衬底具有第一区域；在所述衬底表面形成牺牲层；在所述牺牲层表面形成一维纳米结构；去除部分牺牲层，使所述一维纳米结构中部悬空，所述一维纳米结构的两端位于剩余的牺牲层表面；在第一区域上的一维纳米结构的部分表面形成环绕所述一维纳米结构的第一栅极结构；在所述第一栅极结构两侧的第一区域上的一维纳米结构上形成第一源极接触层和第一漏极接触层。所述方法可以形成具有较高性能和集成度的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一维纳米结构 牺牲层 半导体结构 第一区域 表面形成 栅极结构 衬底 衬底表面 漏极接触 源极接触 集成度 晶体管 去除 悬空 环绕 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有第一区域；在所述衬底表面形成牺牲层；在所述牺牲层表面形成一维纳米结构，形成所述一维纳米结构的方法包括：在所述牺牲层表面形成具有开口的掩膜层，所述开口暴露出部分牺牲层的表面；在所述开口底部的牺牲层表面形成分散的金属纳米粒子；去除所述掩膜层后，采用化学气相沉积工艺，在所述金属纳米粒子的催化作用下，形成所述一维纳米结构；去除部分牺牲层，使所述一维纳米结构中部悬空，所述一维纳米结构的两端位于剩余的牺牲层表面；在第一区域上的一维纳米结构的部分表面形成环绕所述一维纳米结构的第一栅极结构；在的第一栅极结构两侧的位于第一区域上的一维纳米结构上形成第一源极接触层和第一漏极接触层，所述第一源极接触层和第一漏极接触层分别位于第一栅极结构的两侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
