[发明专利]填充沟道的方法和处理装置有效
| 申请号： | 201410228924.7 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN104183535B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 铃木大介;高桥和也;冈田充弘;小森克彦;小野寺聪 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种填充沟道的方法和处理装置。一种填充沟道的方法，其是对形成在被处理体的绝缘膜上的沟道进行填充的方法，其包括如下工序沿着划分出沟道的壁面形成含有杂质的第1非晶硅膜；在第1非晶硅膜上形成第2非晶硅膜；在形成第2非晶硅膜后对被处理体进行退火。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 沟道 方法 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种填充沟道的方法，其是对形成在被处理体的绝缘膜上的沟道进行填充的方法，其中，该填充沟道的方法包括如下工序：沿着划分出上述沟道的壁面形成含有杂质的第1非晶硅膜；在上述第1非晶硅膜上形成第2非晶硅膜；在形成上述第2非晶硅膜后对上述被处理体进行退火，以使得上述第2非晶硅膜熔融，并朝向上述沟道的底部流动，从而利用该第2非晶硅膜来填充上述沟道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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