[发明专利]一种嵌入式闪存及其制作方法

摘要

本发明公开了一种嵌入式闪存及其制作方法。该方法包括：提供半导体衬底，该半导体衬底上形成有多个浮动栅极，在相邻的浮动栅极之间形成有隔离材料层；对隔离材料层进行第一回刻蚀，以形成凹槽；在浮动栅极上和第一回刻蚀后的隔离材料层上形成补偿层；对补偿层进行刻蚀至露出浮动栅极的上表面，并对第一回刻蚀后的隔离材料层进行第二回刻蚀，以形成隔离结构，其中隔离结构的上表面呈碗形；在隔离结构上和浮动栅极上依次形成介电层和控制栅极。本发明提供的方法能够在保证耦合率和数据保存性能的前提下，提高控制栅极和有源区之间的击穿电压。进一步地，由于击穿电压得到提高，因此可以考虑适当减小距离，以在一定程度上改善耦合率和数据保存性能。

主权项

一种嵌入式闪存的制作方法，其特征在于，所述方法包括：a)提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个浮动栅极，在相邻的所述浮动栅极之间形成有隔离材料层；b)对所述隔离材料层进行第一回刻蚀，以形成凹槽；c)在所述浮动栅极上和所述第一回刻蚀后的隔离材料层上形成补偿层；d)对所述补偿层进行刻蚀至露出所述浮动栅极的上表面，并对所述第一回刻蚀后的隔离材料层进行第二回刻蚀，以形成隔离结构，其中所述隔离结构的上表面呈碗形；以及e)在所述隔离结构上和所述浮动栅极上依次形成介电层和控制栅极。