[发明专利]鳍式场效应晶体管装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201410201636.2 | 申请日： | 2014-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN105097918A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种鳍式场效应晶体管装置及其制造方法。该鳍式场效应晶体管装置包括半导体衬底和设置在半导体衬底上的鳍状结构，鳍状结构包括支撑柱和加宽层，支撑柱设置在半导体衬底上，加宽层设置在支撑柱上。根据本申请的鳍式场效应晶体管装置及其制造方法，提高整个鳍式场效应晶体管的控制性能，使载流子输运更加可靠且使栅极与外延层的界面稳定性得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管装置，包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底上的鳍状结构，其特征在于，所述鳍状结构包括支撑柱和加宽层，所述支撑柱设置在所述半导体衬底上，所述加宽层设置在所述支撑柱上。
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