[发明专利]半浮栅晶体管结构

摘要

本申请提供了一种半浮栅晶体管结构。该半浮栅晶体管结构包括：衬底，具有相互隔离的第一N阱区和第二N阱区；栅氧化层，设置在衬底的表面上，栅氧化层中设有间隔槽，间隔槽设置在第一N阱区上；浮栅，设置在衬底的表面上，且内部掺杂有P型离子，浮栅包括：第一浮栅部，设置在栅氧化层的远离衬底的表面上；第二浮栅部，与第一浮栅部一体设置，且设置在间隔槽中，第二浮栅部与第一N阱区中设置多个串联的pn结二极管。第二浮栅部与第一阱区中通过更多反型杂质离子的掺杂形成多个串联的pn结二极管，进而增加了pn结形成的带隙，从而能够有效地减缓或者避免电子从pn结中逸出形成漏电流。

主权项

1.一种半浮栅晶体管结构，所述半浮栅晶体管结构包括：衬底，具有相互隔离的第一N阱区和第二N阱区；栅氧化层，设置在所述衬底的表面上，所述栅氧化层中设有间隔槽，所述间隔槽设置在所述第一N阱区上；浮栅，设置在所述栅氧化层的表面上，且内部掺杂有P型离子，所述浮栅包括第一浮栅部和第二浮栅部，所述第一浮栅部设置在所述栅氧化层的远离所述衬底的表面上，所述第二浮栅部与所述第一浮栅部一体设置，且设置在所述间隔槽中；其特征在于，所述半浮栅晶体管结构还包括：第一N型离子重掺杂区，设置在所述第二浮栅部中，所述第一浮栅部与所述第一N型离子重掺杂区形成第一pn结二极管；第一P型离子重掺杂区，设置在所述第一N阱区中并与所述第一N型离子重掺杂区相对连接，所述第一P型离子重掺杂区与所述N阱区形成第二pn结二极管，所述第一pn结二极管与所述第二pn结二极管形成两个相互串联的pn结，或者所述半浮栅晶体管结构还包括：第一N型离子重掺杂区，设置在所述第二浮栅部中，所述第一浮栅部与所述第一N型离子重掺杂区形成第一pn结二极管；第一P型离子重掺杂区，设置在所述第一N阱区中并与所述第一N型离子重掺杂区相对连接；第二N型离子重掺杂区，设置在所述第一N阱区中且围绕所述第一P型离子重掺杂区设置，所述第一P型离子重掺杂区与所述第二N型离子重掺杂区形成第二pn结二极管，所述第一pn结二极管与所述第二pn结二极管形成两个相互串联的pn结。