[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201410186381.7 | 申请日： | 2010-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN104008994B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 陈能国;曾国华;蔡正原 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种具有鳍状体的半导体装置的制造方法，首先于基板上形成一图案化屏蔽，然后于基板内形成凹槽，并于凹槽中填入介电材料，之后将图案化屏蔽移除，并以一种或多种蚀刻工艺来内凹介电材料，其中前述蚀刻工艺的至少其中之一是用以移除沿着凹槽边墙所形成的围栏或防止前述围栏的形成。前述蚀刻工艺可为例如采用NH |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：提供一基板；于该基板内形成一个或多个鳍状体；于形成一个或多个所述鳍状体后，于所述鳍状体中相邻数者间的区域内填入二氧化硅；以及执行一第一蚀刻步骤，用以内凹该二氧化硅以致沿着所述鳍状体的边墙所残留的所述二氧化硅形成围栏，并形成一凹陷处；以及执行一第二蚀刻步骤，用以完全移除所述围栏，其中该第二蚀刻步骤采用NH3与NF3的等离子蚀刻工艺，该NF3与NH3化合成等离子型态，使得NH4F及NH4F.HF产生，而该NH4F及NH4F.HF与二氧化硅起反应，生成固态的(NH4)2SiF6，该固态的(NH4)2SiF6形成于该凹陷处的底部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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