[发明专利]互连介质层、其制作方法及包括其的互连层有效
| 申请号： | 201410126925.0 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104952837B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种互连介质层、其制作方法及包括其的互连层。其中互连介质层，由包括硅、氧和碳的材料组成，包括依次设置于半导体基材上的初始层和基体层，其中初始层包括由远离半导体基材方向设置的多层子初始层，且沿远离半导体基材方向，各层子初始层中氧元素的含量依次降低，碳元素的含量依次增加。在该互连介质层中，由于Si‑O键能大于Si‑C键能，因此远离半导体基材方向上各初始层的力学强度会依次降低，从而减少互连介质层中初始层和基体层之间力学强度的差值。因此，在后续刻蚀互连介质层形成通孔时，通孔中初始层和基体层之间会形成平滑连接结构，从而提高互连层中互连介质层与金属层之间的结合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 介质 制作方法 包括 | ||
【主权项】：
1.一种互连介质层，由包含硅、氧和碳的材料组成，包括依次设置于半导体基材上的初始层和基体层，其特征在于，所述初始层包括由远离所述半导体基材方向设置的多层子初始层，且沿远离所述半导体基材方向，各层所述子初始层中氧元素的含量依次降低，碳元素的含量依次增加；各层所述子初始层中氧元素的含量依次降低6wt％～8wt％，碳元素的含量依次增加4wt％～6wt％。
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