[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201410122981.7 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103887345A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 严光能 | 申请（专利权）人： | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/34 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 夏平 |
| 地址： | 210038 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法，包括衬底基板，衬底基板上依次设有栅极、栅极绝缘层和半导体有源层，半导体有源层位于栅极两侧位置分别设有源极和漏极，源极和漏极之间为导电沟道，半导体有源层包含依次覆盖在栅极绝缘层上阻值为R1的第一氧化物薄膜、阻值为R2的第二氧化物薄膜和阻值为R3的第三氧化物薄膜，第三氧化物薄膜源极和漏极位置阻值为R4，R4由特殊工艺减小第三氧化物薄膜的源极和漏极位置阻值得到，R1及R3的阻值均大于R2。保护绝缘层覆盖在除源极和漏极位置的半导体有源层上；金属层覆盖源极和漏极；本发明通过改变传统的半导体氧化物薄膜固定电阻为渐变电阻，从而实现减小漏电流，提高了器件稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管，包括衬底基板，衬底基板上依次设有栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、保护绝缘层和金属层，其中，半导体有源层中的位于栅极两侧的位置分别设有源极和漏极，源极和漏极之间有导电沟道，其特征在于：所述的半导体有源层覆盖栅极绝缘层；保护绝缘层覆盖在除源极和漏极位置的半导体有源层上；源极和漏极上覆盖金属层；所述的半导体有源层包含依次覆盖在栅极绝缘层上的电阻为R1的第一半导体氧化物薄膜、电阻为R2的第二半导体氧化物薄膜和第三半导体氧化物薄膜，第三半导体氧化物薄膜在源极和漏极位置的阻值为R4，其他地方的阻值均为R3，R4是通过特殊工艺作用于第三半导体氧化物薄膜的源极和漏极位置得到的，R4的阻值小于R3；R2的阻值小于R1的阻值，且R2的阻值也小于R3的阻值。
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