[发明专利]一种发光二极管外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201410111793.4 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN104009140A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;王群;胡加辉;童吉楚;陶章峰;魏世祯 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/02;H01L33/04 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。外延片包括：衬底、以及在衬底上向上生长的成核层、缓冲层、未掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层、第一p型GaN层、第二p型GaN层、电子阻挡层和p型层，电子阻挡层的厚度为50～150nm，第一p型GaN层的生长温度为600～800℃、生长压力为400～800Torr，第二p型GaN层的生长温度为800～1000℃、生长压力为50～500Torr。本发明通过设置高压低温生长的第一p型GaN层，提供了空穴的注入通道，从而提高空穴的注入效率，低压高温生长的第二p型GaN层提高了晶体质量，限制了电子阻挡层的厚度，增加了空穴的注入效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片，所述外延片包括衬底、以及在所述衬底上向上生长的成核层、未掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层、电子阻挡层和p型层，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度为50～150nm，所述外延片还包括第一p型GaN层和生长在所述第一p型GaN层上的第二p型GaN层，所述第一p型GaN层和所述第二p型GaN层位于所述多量子阱层和所述电子阻挡层之间，所述第一p型GaN层的生长温度为600～800℃、生长压力为400～800Torr，所述第二p型GaN层的生长温度为800～1000℃、生长压力为50～500Torr。
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