[发明专利]一种发光二极管外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201410111793.4 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN104009140A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;王群;胡加辉;童吉楚;陶章峰;魏世祯 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/02;H01L33/04 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述外延片包括衬底、以及在所述衬底上向上生长的成核层、未掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层、电子阻挡层和p型层，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度为50～150nm，所述外延片还包括第一p型GaN层和生长在所述第一p型GaN层上的第二p型GaN层，所述第一p型GaN层和所述第二p型GaN层位于所述多量子阱层和所述电子阻挡层之间，所述第一p型GaN层的生长温度为600～800℃、生长压力为400～800Torr，所述第二p型GaN层的生长温度为800～1000℃、生长压力为50～500Torr。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第一p型GaN层和所述第二p型GaN层的厚度均为10～50nm。
3.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述外延片还包括生长在所述第一p型GaN层上的厚度为1～30nm的插入层，所述插入层为周期结构，每个周期包括InGaN层和AlInGaN层，所述插入层各周期结构中的AlInGaN层的Al的组分含量是电子阻挡层的Al的组分含量的1.1～1.5倍。
4.根据权利要求3所述的外延片，其特征在于，所述外延片包括n个第一p型GaN层和n个与所述第一p型GaN层交替生长的所述插入层，其中，1≤n≤50。
5.根据权利要求4所述的外延片，其特征在于，所述n个第一p型GaN层和所述n个插入层的总厚度为11～80nm。
6.根据权利要求3所述的外延片，其特征在于，所述插入层的生长温度为600～1000℃，生长压力为50～800Torr。
7.一种发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长成核层、未掺杂的GaN层、n型层和多量子阱层；
在温度为600～800℃、压力为400～800Torr的环境下，在所述多量子阱层上生长第一p型GaN层；
在温度为800～1000℃、压力为50～500Torr的环境下，在所述第一p型GaN层上生长第二p型GaN层；
在所述第二p型GaN层上生长所述厚度为50～150nm的电子阻挡层；
在所述电子阻挡层上生长p型层。
8.根据权利要求7述的方法，其特征在于，在所述第一p型GaN层上生长第二p型GaN层之前，所述方法还包括：
在所述第一p型GaN层上生长厚度为1～30nm的插入层，所述插入层为周期结构，每一周期包括InGaN层和AlInGaN层，且所述插入层各周期结构中的AlInGaN层的Al的组分含量是电子阻挡层的Al的组分含量的1.1～1.5倍；
在所述插入层上生长所述第二p型GaN层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述多量子阱层上生长第一p型GaN层，在所述第一p型GaN层上生长插入层，具体包括：
在所述多量子阱层上生长n个第一p型GaN层和n个插入层，所述n个第一p型GaN层和n个插入层相互交替生长，其中，1≤n≤50。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在温度为600～1000℃、压力为50～800Torr的环境下，在所述第一p型GaN层上生长插入层。
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