[发明专利]用于形成具有不同鳍高度的FINFET的方法有效
| 申请号： | 201410099929.4 | 申请日： | 2014-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN104752503B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 江宗育;林忠伟;陈光鑫;田博仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了用于形成半导体器件的方法的实施例。该半导体器件包括通过第一隔离结构部分地环绕的第一鳍，并且该第一鳍伸出穿过第一隔离结构的顶面。半导体器件还包括被通过第二隔离结构部分地环绕的第二鳍，并且该第二鳍伸出穿过第二隔离结构的顶面。第一隔离结构的顶面高于第二隔离结构的顶面，从而使第二鳍的高度高于第一鳍的高度。第二隔离结构的掺杂剂浓度大于第一隔离结构的掺杂剂浓度。本发明还提供了用于形成具有不同鳍高度的FINFET的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 具有 不同 高度 finfet 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一鳍，由第一隔离结构部分地环绕，并且伸出穿过所述第一隔离结构的顶面；以及第二鳍，由第二隔离结构部分地环绕，并且伸出穿过所述第二隔离结构的顶面，其中，所述第一隔离结构的顶面高于所述第二隔离结构的顶面，从而使所述第二鳍的高度高于所述第一鳍的高度，并且所述第二隔离结构的掺杂剂浓度大于所述第一隔离结构的掺杂剂浓度；其中，所述第二隔离结构包括至少一种掺杂剂，所述至少一种掺杂剂不包括在所述第一隔离结构中，所述至少一种掺杂剂包括Ar、Sb、Ge、Se、N、C、H或它们的组合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410099929.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其制造方法
- 下一篇：射频LDMOS器件及工艺方法
- 同类专利
- 专利分类
