[发明专利]沟槽功率器件及其制作方法

摘要

本发明提供了一种沟槽功率器件及其制作方法，所述制作方法包括提供包括有源区和终端结构区的半导体衬底；在有源区形成第一沟槽，在终端结构区形成第二沟槽；在第一沟槽中形成沟槽功率器件的栅极，同时在第二沟槽中靠近有源区的侧壁与底部沉积多晶硅，所述多晶硅在远离有源区的一侧呈弧形；在半导体衬底上沉积介质层，填充第二沟槽；在有源区的介质层上形成通孔，并进行两次离子注入，在通孔暴露出的半导体衬底中形成第一掺杂区和第二掺杂区；进行后续的半导体工艺。避免在终端结构中形成通孔，从而省略现有技术中在通孔中沉积硼磷硅玻璃，并进行回流与刻蚀的步骤，降低了工艺的复杂程度，提高了沟槽功率器件的再现性。

主权项

一种沟槽功率器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区和终端结构区；在所述半导体衬底的有源区形成第一沟槽，在终端结构区形成第二沟槽；在所述第一沟槽中形成沟槽功率器件的栅极，同时在所述第二沟槽中靠近所述有源区的侧壁与底部沉积多晶硅，所述多晶硅在远离所述有源区的一侧呈弧形；在所述半导体衬底上沉积介质层，所述介质层填充所述第二沟槽；通过曝光与刻蚀在所述有源区的介质层上形成通孔，并进行两次离子注入，在所述通孔暴露出的半导体衬底中形成第一掺杂区，在所述第一掺杂区中形成第二掺杂区；进行后续的半导体工艺，完成所述沟槽功率器件的制作。